内存条25c是什么颗粒_25伏内存条

1.i5双核4线程 索尼时尚新本S118抢先评测

2.请问金都在网上正规吗？听说最近有的被抓了

3.可否为我解释一下关于硬盘的各种数据呢

4.内存的SDR和DDR频率分别有哪些，哪种频率最快？

5.什么叫超频？

6.内存工作原理是什么？能告诉我具体点吗？

在bios的advanced chipest features 里，然后自己看就明白了。

内存同步超频

对于内存超频而言，根据不同主板，可以用不同的超频方案，同时内存超频又与CPU有着直接或间接的关系，一般来说，内存超频的实现方法有两种：一是内存同步，即调整CPU外频并使内存与之同频工作；二是内存异步，即内存工作频率高出CPU外频。

首先我们说说内存同步超频，我们知道，在一般情况下，CPU外频与内存外频是一致的，所以在提升CPU外频进行超频时，也必须相应提升内存外频使之与CPU同频工作，比如我们拥有一个平台，CPU为Athlon XP 1800+、KT600主板、DDR266内存。Athlon XP 1800+默认外频为133MHz、默认倍频为11.5，主频为1.53G，由于Athlon XP 1800+倍频被锁定了，只能通过提升外频的方法超频，如将Athlon XP 1800+外频提升到166MHz，此时CPU主频为166MHz×11.5≈1.9GHz。

由于我们将CPU外频提高到了166MHz，如你使用的是DDR333以上规格内存，那么将内存频率设置为166MHz属于标准频率下工作，但这里使用的是DDR266内存，为了满足CPU超频需求，内存也必须由原来的DDR266（133MHz）超频到DDR333（166MHz）使用。具体方法是进入BIOS设置，找到“Advanced Chipset Features” 选项，然后会看到一个“DRAM Clock”选项，将鼠标光标定位到这里并回车，然后会出现内存频率设置选项，在这里我们选择“166MHz”并回车，保存设置并退出即实现了内存同步超频。

2．内存异步超频

在内存同步工作模式下，内存的运行速度与CPU外频相同。而内存异步则是指两者的工作频率可存在一定差异。该技术可令内存工作在高出或低于系统总线速度33MHz或3:4、4:5（内存:外频）的频率上，这样可以缓解超频时经常受限于内存的“瓶颈”。

对于支持SDRAM内存的老主板而言（如815系列），在支持内存异步的主板BIOS中，可以在“DRAM Clock”下找到“Host Clock”、“Hclk-33M”、“Hclk+33M”三个模式。其中Host Clock为总线频率和内存工作频率同步，Hclk-33M表示总线频率减少33M，而Hclk+33M可以使内存的工作频率比系统外频高出33MHz，比如将赛扬1.0G外频从100MHz超到125MHz，而你的内存为PC133规格（即标准外频为133MHz），此时在BIOS的“DRAM Clock”下选择“Hclk+33M”，可以让赛扬1.0G工作在125MHz外频下，而内存却可以在133MHz频率下运行，充分挖掘内存的超频潜力并提升系统性能。

而对于支持DDR内存的老主板而言（如845G芯片组），Intel规定845G只支持DDR266（133MHz×2）内存，不过有的品牌845G主板在BIOS中加入内存异步功能（比如微星845G MAX），在BIOS中按照4:5的比例进行设置，可以让内存运行在166MHz，从而支持DDR333（166MHz×2），并使内存带宽提升到2.66GB/s。具体操作方式是：进入BIOS设置中，进入“Advanced Chipset Features”的“DRAM Timing Setting”选项，然后进入“DRAM Frequency（内存频率）”选项，在这里可以看到266MHz、320MHz、400MHz、500MHz Auto等选项，我们直接选中“320MHz”即可。

3．增加电压帮助超频

内存频率提升了，所以内存功耗也随之增加，但在默认情况下，主板BIOS中内存电压参数是被设置为内存标准频率的数值，通常来说，为了确保内存超频的稳定性，我们需要增加内存电压，很多主板BIOS设置中都提供了内存电压调节功能，同时内存电压调节级别一般以0.05V或0.1V为档次逐渐调节，内存电压参数调节越细微，对超频越有帮助。

调节内存电压的方式是进入“Advanced Chipset Features”选项，然后将鼠标光标定位到“Current Voltage”上，在这里我们看到，该主板内存电压分了好几段，电压调节范围从1.60V～2.70V，每相邻的两项之间的差值为0.1V，我们使用键盘上的向上键增加电压，每按一次增加0.1V电压。需要注意的是，超频时不要一次将内存电压提升太高，首先提升0.1V电压，然后保存退出，进入WINDOWS系统对内存进行性能测试，如果很稳定，可以重新进入BIOS中再次将内存电压提升0.1V，依次类推，直到自己满意为止。

i5双核4线程 索尼时尚新本S118抢先评测

问题一：电脑总是有电流声音 怎么回事 求大侠指教 5分 有以下几个方面的原因：

1、与天气潮湿有关，与音响的供电（电源）有关，与电脑的电源有关。

2、电压太大了，耳机用的是电脑的电，而音响确实单独的插座，电脑内点电流还不能让音响出声。。。。。（接触不良，换一个电脑上的插口。接触完好的情况下电流都在耳麦里，不会有声。）

3、电线缠在一起会产生磁共振，建议把线解开，换上有消磁功能的线。2.主板背面的插口的焊接脚松动了，接触不良造成的。 那肯定是后面的口接触问题。

以上方法希望可以解决这些问题。要不就是你的是旧货才会这样的。

问题二：电脑有电流声是什么问题？ 电脑电流音问题解决

电脑电流音的原因有以下几点：

一是静电感应引起。

电脑是高频的设备，电源，CPU，硬盘，主板都会发热，故电脑的干燥度较高。随着元器件的老化，抗静电能力会越来越差。

现代家居如果是辅地毡，胶板，木板之类，干燥性系数会较大，静大也较大，进入秋冬季节，人体靠近电脑，尤其是手接近音箱，咪筒之类的附件时，就会大感应很大的静电，通过音箱放大，或传上网络，通过另一方音箱扩放，造成电流声。

这类的问题，治本是改善环境的湿度，减少静电感应。

唬 治标的办法是给电脑机箱接一根地线。

专业的地线必须是用一钢筋或铁块深埋地下三尺，然后接线，用黄绿色专用地线电线引至家用电器插座之地线接口，上标有“G”字样者即是（或是一竖三横的标志），千万别接到“L”或“N”上面了，这是火线和零线。

如果够专业，一定要用摇表测地线的电阻，要小于5欧姆。

一般家用埋深一米，长5米的裸铁之类就能达到效果了。

城里人的金属自来水管可以将就用，但家里一定要装漏电保护开关，不然哪天电器坏了火线接地了，冲凉时电瓜掉了就失大了。

窗台的金属防盗网也可将就用，但效果不好。

如果用隔离变压器，也就是220伏进，220伏出的，功率够大的变压器。理论上是应该可以的，但没试过。

二是功放中或主板的电解电容老化引起电流声。

这就需专业人士打磨了，一般加大电容即可。选用耐压25伏以上，4700或10000uF的电解电容，替换原来的电容或用线并接也可。注意打胶固定并防碰接短路其他电路。

须注意一点是电容不要加太大了，理论上是电容越大，滤波效果越好，但变压器会受不了。必竟是成本问题，厂家不可能用很大的变压器。

三是回啸原因。

有时咪筒对着音箱，就会引起回啸，只要摆个方向，或调整音量就可。

四是电源坏了，里面的高频虑波部分出故障了，处理方法是换个电源试试看。

以上几点供大家参考。

问题三：电脑话筒有电流声怎么办? 任务栏的小喇叭，右键点开》打开音量控制》选项》属性》把里面的下拉菜单里的“麦克风”打上勾》确定。

这时候在音量控制面板里面就出现了“麦克风”的选项，如果没有安装以上步骤操作则在音量控制面板里面看不见麦克风的选项

在音量控制面板里面的麦克风选项的“静音”上面打上勾，确定退出即可

麦克风上的静音选项打上勾并不是说麦克风没有声音了，这个“静音”是消除杂音的意思

在其他的音量选项里面的“静音”就是静音的意思，和麦克风选项的不一样

问题四：电脑音频有电流声怎么办 是插前置USB了吧，拔掉试试看，个别机箱做工不好，导致机箱USB和音频线串流，再者就是音效控制台设置有问题，把混频器里--重放--麦克风音量，关闭，试试看，祝你好运

问题五：电脑有电流声怎么办啊？ 先判断是音箱的声音还是电脑的声音再解决问题

请问，音箱插头不插在电脑上，打开音箱，是否有电流声

用耳机接到电脑上，耳机里是否有电流声

问题六：我电脑麦克风怎么老有电流声？ 。您的麦克风，混音是否拉到了最大。

解决方法：麦克风，混音音量拉到百分之八十到九十即可。

2。您的麦克风是否在加强状态。

解决方法：把麦克风加强去掉。因为有的声卡不支持。

3。您的麦克风和电脑主机间连接是否问题。

解决方法：把麦克风和电脑主机连接断掉，再重新正确连接，并查看有无接触不良。

4。您是否使用音箱。

解决方法：使用耳麦。必须使用音箱注意音箱喇叭不要对着麦克风，（自己电脑房间的条件需要宽敞良好。

5。看您周围有没有带磁场，带声波的东西。

解决方法：把带磁场的电器（如手机，风扇拿开）。

6。您的声卡或麦克风是否有问题。

解决方法：在内放的状态下给录段音。

7。您的电脑主板有没漏电。

解决方法：用一根电线，把电线金属两端的金属条 *** ，一头接到电脑主机外部，不关键的金属部位。一头接到地上。（特别注意：接线在电脑主机外部千万不要选在关键部位，注意您和您电脑的安全）

8。您的电脑主机配件是否有松动或安装不当。

解决方法：听一下您电脑主机是否响动异常（比如说风扇声音过大，运转不流畅等）根据情况请专业人士为您清洗或调试。

9。您的MSN或其他聊天程序是否安装不当。或下载不完整。

解决方法：如果您在下载的时候，因为网络或其他原因，数据丢失，文件不完整。会造成使用的不适。另外安装插件不当也会出现异常。建议您按我的方法去重装：您关掉以后，在控制面板中卸载，重新下载安装一下。

10。如果您的电脑有问题（比如说需要清理垃圾文件，清除，木马。）也会有声音异常。网络堵塞，网速不快，也会造成声音异常。

解决方法：做好电脑维护工作。网速不够声音应该很轻易听出来的，您可以新手乐园主题区[新手乐园]房间让在线管理帮您判断一下。

11。您只在和朋友连语音的时候，出现声音异常，在聊天大厅里就正常。

解决方法：请注意，你们任何一方是否打开了内放或者是开着音箱。如果有的话，请关掉。（使用音箱必须注意音箱的摆放，和周围环境，如果不会，请暂时不要使用来聊天。请周围懂音响的朋友帮助您解决这个问题。）另外双方的防火墙某一方设置过高（包括局域网用户，网吧用户），不同宽带用户（如点心和网通）都回出现一些语音方面的问题。这个是很难解决的。

问题七：电脑喇叭有电流声，怎么办 10分 通常音响出现“刺啦啦”的声音时就是一种常见的电流声故障。对此我们可以取以下方法来解决。

1、检查音频线接口是否插接正确，通过音频线与电脑绿色音频接口进行连接，而声卡面板中的粉色接口通常用来连接麦克风，如果因此接错音响也会发出微弱的电流声。

2、查看一下电源供电是否正确，通过情况下音响设备上都标记有额定电压，过高的供电电压将导致音响内部产生电流声。必要时可取稳压器进行供电或通过电气设备进行稳压处理。

3、部分音响出现“电源”等噪音现象是由于软件设置不当所造成的。对此，我们可以取以下方法来解决：打开“控制面板”，点击“声音和音频”->“管理音频设备”项进入。

4、电磁干扰也会导致音响发出电流声，对此将手机、微波炉等易产生电磁的设备远离音响可有效防止电流声的产生。

5、切换至“播放”选项卡，然后选择“播放器”并点击“属性”项进入。

6、在打开的窗口中切换至“增强”选项卡，然后勾选“禁用所有声音效果”，最后点击“确定”按钮完成设置。

7、如果以上方法不能解决问题，则及有可能是音响硬件本身出现故障，就只能送维修点进行维修啦。

问题八：电脑音响有电流声怎么解决？以前一直是好的，突然就有了的。 如果说问题是后来才出现的，请楼主仔细检查一下各线路的连接，一般来说是接口等地方接触不良会出现这种问题。如果有条件，请换一对音响或音频线试试，看看新插上的音响或音频线会不会有这种情况，如果鸡音响没有，那肯定是旧的音响线路内部接触不良。

问题九：我的电脑老是发出电流声 电流声

应该是嘶嘶的声音吧，运行程序，导致电脑负荷上去后，功率变大，CPU 内存 主板 供电电流都加大，CPU 显卡 电源 风扇都全速运转，这样整机会共振，产生噪音，这个只能通过防松加固，改变整体的固有频率。

还有可能就是电噪音，明主板供电部分开始老化，主要是开关电源供电部分的开关管 扼流圈、变压线圈老化，产生电磁噪音，这个得维修，自己很难解决

问题十：我新买的电脑有电流声怎么回事 应该是电脑耳机发出来的电流声音吧。你看看你应该是下面的哪个问题。电脑麦克风有杂音的原因：

一、音量设置不合理

音量过大，是麦克有杂音的一个主要原因。

二、麦克风连接或质量有问题

麦克风链接虚接，是“爆麦”的主要原因；麦克风本身也存在质量问题，同一台机器，换不同的麦克风，有的麦就有杂音，有的麦就没有杂音。这个就是麦的质量原因。

三、声卡驱动问题

同一台电脑，始终是一个麦克，有时候有杂音，有时候就没杂音，有杂音的时候，重新驱动一下声卡驱动，问题就解决了。

四、应用软件问题

应用软件异常，导致系统不稳定也是麦克风有杂音的一方面愿意。我们通过卸载重新安装应用软件（如uc、QQ等）来解决此类问题。

五、麦克产品问题

本人一直用的是简易的耳麦，在声卡属性麦克风“加强”一直用不了，选用了就很大的电流声，一直以为是声卡不支持麦的加强功能。直到一天换了一个单独麦克风，结合音箱使用，点麦加强选项，呵呵，居然没了电流声，麦音清晰有力，唱歌比以前爽多了。

六、网络传输问题

网速慢，也是影响音效的一个原因。

七、静电问题

用手按住电脑主机机箱，如果麦的电流声消失，那就给电脑接一个地线，清理一下机箱的灰尘。

八、使用音箱的朋友，麦也容易出现杂音1、双击打开右下角任务栏的**小喇叭，（如果没有，可以打开控制面板里的“多媒体”

然后选中“在任务栏显示音量控制”点确定后**小喇叭就会出现在电脑屏幕右下角任务栏上）

2、双击小喇叭后，大家可以看到一排设置的选项，请把麦克风上静音的勾去掉，把滑动条拉到最高的地方（咖啡补充：音量控制代表你的整体输出音量。We/mp3（中文是波形）是音乐输出音量，调动可以单独降低音乐音量，跟麦克风是没有关系的）

3、打开高级控制4、打开麦克风下面的高级，在mic boost上打勾，以便增强麦克风音量，打上后点关闭。

（咖啡补充：如果你麦克风的输出音量够大，那就别打勾，一般打上勾后虽然麦克风声音会增强，但是也会带来电流声，电流声的大小一般看你电脑接地的好坏确定。）

5、该窗口的左上角有个“选项”点它，然后点里面出现的“属性”，这时可以看到又出现一个属性窗口。

6、在混音器下边有个“调整音量”并且在它的下方有三个项目，1回放 2录音 3其他，

大家可以把默认“回放”里的黑点点到“录音”上，

然后在下边“显示下列音量控制”的下方白框里有一些选项可以选择，大家可以找到

麦克风的选项（英文名字为：Microphone）和立体声输入选项（英文名为：Stereo Mix）、单声道输入选项（英文名字为Mono Mix）打上勾，然后点确定

7、然后大家看到的另一个窗口，也可以看到出现了Mono Mix、StereoMixer和Microphone(麦克风)三个选项也在其中，在Mono Mix、StereoMixer下面的“选择”地方打上勾(如果只是语音聊天请在Microphone下面的“选择”地方打上勾），然后所有音量开到最顶，最后把该窗口关闭，剩下的就是在语音室向管理员要麦试试了，祝贺你，这时候你可以真正的卡拉ok了，无论什么CD，VCD，DVD，mp3，等等，只要是音频文件，音乐和唱歌可以同时进行，让大家都听到你美妙的歌声吧！

（咖啡补充：关于Mono Mix、StereoMixe是你电脑的输出音量总调，也就是等于你在聊天室播放的音量，调动滑动条可以让聊天室的音量输出变大或者变小，跟你自己在耳机或者音箱听到的音量是不一样的，别把自己听到的音量当成是别人能听到的音量。至于麦克风的......>>

请问金都在网上正规吗？听说最近有的被抓了

IT168 产品评测今年1月的CES展会上，Intel正式发布了全新32nm工艺制程的移动版处理器，随后市场上的搭载i3、i5、i7处理器的笔记本如雨后春笋般冒出，更强劲的性能和智能化的睿频技术是最令消费者关注的亮点。那么新的搭载酷睿i系列移动处理器的笔记本表现究竟如何？今天我们就拿索尼刚刚发布的一款时尚笔记本S118作为本次评测的主角，它是一款用了Intel 酷睿i5 520M双核心四线程处理器和GT 310M 独立显卡的13.3英寸笔记本。

索尼S11系列其实是由之前的SR系列衍生出来的新系，在外观上两个系列有很多相似之处，不过也有一些改变。在配置方面，这次新发布的S11系列均用Intel酷睿i7、i5、i3处理器，有别于SR系列的所用的P系列处理器。此外，S11系列均用了NV的GT 300系列显卡，而此前的SR系列产品用的都是ATI HD系列显卡。

索尼S118是S11系列中的中端产品，配备32nm工艺的i5-520M处理器，主频2.4GHz，使用睿频加速技术时最高可达2.93GHz，并拥有3MB缓存。存储方面，S118配备了4GB DDR3 1066内存，标配320GB SATA 5400转硬盘。显示方面搭载nVIDIA GeForce GT310M 512M独立显卡，使用了16：9 LED背光屏。索尼S118的无线网络模块支持IEEE 802.11a/b/g/n标准，通过WI-FI认证，含电池的重量约为2.0千克。

整体外观 延续SR系列风格 时尚轻薄 金属质感强烈

由于S11是SR系列的衍生系列，因此在外观上，S118保持了SR系列产品的整体风格，轻薄简约的机身充满时尚气息，用磨砂工艺处理机身表面具有很强的金属质感。和SR系列一样，机身前方边角也用了削边处理，并且由于用了16：9的LED屏幕，S118看起来更加纤细轻薄，亮丽的粉色配色显得S118十分优雅，很容易打动时尚女性的心。

和索尼本本一贯的设计风格一样，时尚简约在S118上都得到了体现。在机身外壳上没有过多的修饰，索尼经典?VAIO?LOGO用镜面效果处理，十分养眼。在顶盖的边沿深灰色亚光效果的?SONY?表明了这款笔记本的尊贵身份。

用圆柱形下沉式转轴和开机键

机身后面没有任何接口

索尼S118用索尼独家设计的圆柱形下沉式转轴，加上超薄的LED屏幕将整机厚度控制的很好，在合上盖后机身后方也显得十分圆润，整体看了很牢固。

精致的内饰设计 细节改变 尽善尽美

打开索尼S118的屏幕后，其精致唯美的内饰设计足以让人感动、冲动。尤其是精致亚光白的巧克力键盘足以令人叹为观止，你会忍不住第一时间伸手去触摸它的按键，适中的键程和弹力是它反馈给你的感受。按键上亚光灰的标识十分耐看，会让你潜意识的欣赏很久。

用流行的巧克力键盘

小键盘区的数字键整合到这里了

虽然和SR系列一样都是用了这种巧克力键盘，不过在细节上也有不同之处，这体现在S118的键盘右侧，合理紧凑的按键布局让整个键盘显得十分整齐，而SR系列这里的方向键会向整体向腕托这边位移，视觉效果上要逊色于S118。

索尼S118键盘右侧

键盘上方的开关

S118六排整齐的按键

SR55的键盘

再看S118的音箱设计和SR系列也有所不同。虽然实际上S118只是左右两侧各有一个喇叭，不过一整条蜂窝孔排列在键盘上方会让人觉得这款笔记本的音箱效果十分好，而事实上从笔者试听的几首歌曲播放效果来看也确实很令人满意。SR系列的笔记本音箱则是左右两侧喇叭上方各有一处开孔，尽管音质或许一样，不过视觉效果上要弱一些。

S118的音箱

索尼S118的腕托部分也是融入了人体工程学设计理念。首次第一眼会被腕托表面的立体小方块颗粒吸引，远看则很想布纹效果。一方面起到了修饰作用，另一方面也不会因为出汗而感到打滑。S118的触摸板也具有和腕托一样的纹理效果，只是表面用精细的磨砂处理，手感十分细腻，操作起来也很灵敏。处于安全考虑，S118在左右按键中间配置了一个指纹加密模块，这在SR系列中只有高端机型才会具备。S118的腕托部分会比键盘的地步高出2毫米，这样设计的作用在于打字的时候手指不至于抬得过高，避免了长时间打字造成手指和手腕疲劳。

腕托位置要比键盘底部高出约2毫米

屏幕方面，索尼S118用了16：9黄金比例的13.3英寸LED显示屏，分辨率为1280*800，从显示效果上来看，十分细腻柔和。同时屏幕的镜面效果让这款笔记本显得更加时尚和精致。另外，削边处理的屏幕拐角不仅增加了艺术效果，也具有的一定的金属感和超薄感。

削边边角

LED背光屏非常薄

镜面屏

屏幕下方的SONY LOGO

镜面屏

S118的摄像头

索尼SR55屏幕上方的摄像头

和SR系列一样，索尼S118的摄像头也是130万像素，不过外观有细微不同，S118取消了摄像头两侧的凸起效果，整个摄像头黑色区域更加细长和简约，符合S118的整体风格。

机身接口布局及背板、电池

作为SR系列的后系产品，S11系列在保持整体风格的同时，也作出了一些人性化的改进，其中有体现在接口布局方面的变化--S118的接口布局更加合理。

索尼SR55的左侧音频接口和电源接口

S118的机身左侧

索尼S118左侧接口从屏轴开始依次为，一个电源适配器插口，一个安全锁孔，一个HDMI接口，一个VGA接口，一个USB接口和一个S400 1394接口。

索尼S118的左侧接口

散热窗

在机身前方，左边为SD卡和记忆棒插槽，右边为无线开关，无线、电池和硬盘状态指示灯以及一对音频输入输出接口，另外还有一个光驱弹出按键也是设置在最右侧。

在机身右侧，分别为网线接口、两个USB接口、一个DVD刻录光驱。在光驱上看不到弹出按钮，这个按钮被设置在了机身前方右侧。在光驱上还设置了一个小孔，方便在紧急情况下弹出光盘。

索尼S118右侧接口

索尼S118右侧接口

DVD刻录光驱右侧有一个小孔

和SR系列机型相比，S118的音频接口被设置在了机身前方右侧是比较合理的，符合一般人的使用习惯。而SR的音频接口则被安置在散热窗和屏幕转轴之间，一方面不便于来回插拔耳机和麦克分，另外耳机线可能会挡住一部分散热窗，不利于散热，也可能造成耳机线发热。

S118的电池

容量为5000毫安时

索尼S118机身背面用模块化设计，可拆卸的部分有硬盘、内存和电池，其中电池的容量为5000毫安时，在续航时间上应该有不错的表现。在随后的产品评测中我们会具体测试S118的续航能力。

全新酷睿i5双核四线程、4GB DDR3内存、独立显卡

索尼S118用Intel 酷睿i5 520M处理器，主频2.4GHz，用最新的32nm工艺制程，使用睿频技术最高可达2.93GHz。酷睿i5 520M的缓存为3MB，处理器为双核心且支持HT超线程技术，具备双核心四线程处理能力，热设计功耗TDP 35W。

从CPU-Z显示的信息可以看到，在系统空载状态下，这款处理器的倍频只有X10，对应的核心速度只有1.33GHz，可以节约系统功耗，而当负荷加大时，CPU倍频可以升到X20，从而主频提升至2.65GHz，进而提高性能。

另外从CPU-Z上可以看到索尼S118使用了HM55芯片组，，和PM55一样，HM55芯片组开发代号也是Ibex Peak-M，与以往的移动芯片组基于桌面芯片组一样，PM55芯片组也是源于桌面上的H55芯片组。与PM55只支持i5、i7不同，新的HM55芯片组是Intel为了配合内置图形处理单元的新款处理器而推出的，可以提供全面的处理器支持，另外HM55也是用了单芯片架构，内存控制单元（IMC）被集成于处理器内。

显卡方面，索尼S118用的是NVIDIA GT 310M 512MB独立显卡，具有16个流处理器，Shader单元频率1500MHz，显存位宽64-bit，容量最大512MB，频率最高800MHz(GDDR3/DDR3)。

存储方面，索尼S118标配4GB DDR3 1066内存，内存为用两条PQI MFCBG423PA0102 2GB DDR3 1066内存组成双通道，这样的配置对于使用了64bit操作系统的S118来说，在大型软件和3D游戏中都不成问题。

我们收到的这款工程样机用了东芝MK3263GSX 2.5英寸硬盘，容量为320GB，这块转速达到5400转的硬盘还支持SATA-II接口，配合ICH9M可以达到更快的3.0Gbps传输速率。

在接口和扩展能力方面，索尼S118笔记本拥有3个USB2.0接口、1个HDMI接口、1个D-SUB接口、1个RJ-45和1组音频、麦克组合接口，一个S400 1394接口，另外还内置了一个SD读卡器和一个HG Duo读卡器，可以满足绝大部分用户日常使用的需要。

系统评估 CPU性能突出 显卡稍逊一筹成瓶颈

测试中使用的是S118预装的Win 7家庭基础版64bit操作系统。 Windows体验索引得分是通过Windows内建的计算机性能评估系统对笔记本电脑进行性能表现的检测。评估软件通过对处理器、内存、图形、游戏性能、主硬盘五个组件的性能表现给出相应得分，可以帮助普通用户快速的判断系统的平衡性和各个子系统的基本表现。

Windows 7

体验索引得分

最终得分

5.0

处理器

6.8

内存

5.9

图形

5.0

游戏图形

6.0

主硬盘

5.5

从系统评估来看，索尼S118的整体得分为5.0，从各个子项分析可以看到，桌面图形成为了整个系统的瓶颈，不过游戏图形性能则得到了较高的6.0分。S118的i5 520M处理器表现最为突出，该项得分达到了各个子项最高分6.8，对于那些对CPU依赖性较高的应用软件来说，使用S118会比较得心应手。另外4GB DDR3 1066内存的配备也是的该项得分达到了较高的5.9分。硬盘得分5.5也算是正常水平，如果用户对磁盘性能又更高要求的话，可以考虑更换速度更快的7200转硬盘或者SSD固态硬盘。

总的来说，索尼S118的处理器是该机配置上的亮点，对于压缩渲染等依赖CPU较高的大型应用软件来说会比较轻松一点。桌面图形虽然稍微弱一点，好在游戏图形性能还算不错，满足大部分用户的需求是不成问题的。而内存的表现也比较出色，唯一可以升级的地方就是硬盘，用户可以根据自己的需求来选择更大容量或者速度更快的SSD固态硬盘。

整机性能测试

在整机性能测试部分，主要使用了PCMark Vantange软件进行测试。PCMark Vantage是Futuremark发布的新一代PCMark基准测试软件，可以衡量各种类型PC的综合性能。相对于上一个版本 PCMark06，PCMark Vantage的整体结构有了较为明显的变化，由以前按照PC的几个子系统逐渐转变为按照用途划分子项，更贴近用户的实际使用，针对性也更强，对用户的参 考价值也更大一些。它取消了原有的处理器和图形子项，保留了系统总体得分和HDD(硬盘)两个子项，同时增加了Memories(记忆)、TV and Movie()、Gaming(游戏)、Music(音乐)、Communication(通信)和Productivity(生产力)几个新的项 目。比较适合衡量PC的家用性能。

Futuremark PCMark Vantage Professional Edition 1.0.0.0

PCMark Suite

6232 PCMarks

Memories

3332

TV and Movies

N/A

Gaming

4222

Music

5487

Communications

7259

Productivity

4693

HDD

3005

从PCMark Vantage的6232分的整体测试成绩来看，索尼S118的配置在家庭和主流3D游戏应用方面应该会有不错的表现，对于大多数用户来说，这样的配置及性能足以满足日常使用需求。从分类测试成绩看，Memories(记忆)和Gaming(游戏)这两个子项的测试成绩要低于平均成绩不少，这是因为这两项应用对于内存的速度和图形性能要求比较高，这样的结果和之前的系统评估得分结果也基本照应。

另外值得肯定的是，索尼S118在Music(音乐)、Communication(通信)上的得分不错，这些都是对磁盘读写性能和处理器性能依赖比较多的项目，可见索尼S118在处理器和磁盘性能上可以满足大部分日常办公与家庭应用，如果条件允许的话，更换更高速度的7200转硬盘或SSD会带来进一步的性能提升。

在图形部分的测试中，我们用了Futuremark最新的测试软件3DMark Vantage，这是业界第一套专门基于微软DX10 API接口、Windows Vista操作系统打造的综合性基准测试工具，能全面发挥多路显卡、多核心处理器的优势，可以在当前和未来一段时间内满足PC系统游戏性能测试需求。 3DMark Vantage提供了全新打造的两个图形测试项目、两个处理器测试项目、六个特性测试项目，并引入四种不同等级的参数预设(Preset)，可以更细致地 反映系统性能等级。在测试中，我们将系统分辨率调整为同一的?768，使用测试软件提供的Entry模式来进行测试。

从3DMark Vantage的测试成绩来看，凭借新的GT 310M 512MB独立显卡，索尼S118最终58分的测试成绩在目前中端笔记本显卡中还是很优秀的，从子项来看，显卡部分5602的得分和总分58比较接近，没有过分依赖于CPU的表现，这样的成绩可以应付一部分主流的游戏。

Futuremark 3DMark Vantage v1.01

Preset=Entry Resolution=x768

3DMark Score

58 3DMarks

Graphics Score

5602

CPU Score

7486

Jane Nash

15.79 FPS

New Calico

17.05 FPS

AI Test

1027.17 operations/s

Physics Test

10.14 operations/s

另外，我们还用了HD Tune、CrystalDiskMark22、EVEREST、CINEBENCH R10等测试了索尼S118在硬盘内存读写、处理器性能和双核效能比等方面的具体表现。

HD Tune是一款磁盘性能诊断测试工具。它能检测磁盘的传输率、突发数据传输率、数据访问时间、CPU 使用率、健康状态，温度及扫描磁盘表面等。在该软件的读取测试中，索尼S118的硬盘最高读取速度达到了71.0MB/秒，平均读取速度为52.9MB/秒，表现较为正常，只是突发速度并不很高，存取时间为18.9毫秒，稍微偏长一点。

在HD Tune的基准测试中，索尼S118硬盘在多数情况下的写入速度甚至超过了读取速度，整体来看平均读取和写入速度基本持平。

CrystalDiskMark是一个比较实用直观的测试硬盘或者存储设备的小巧工具，可以同时显示连续读取和连续写入速度。从测试结果来看，索尼S118的连续读取速度达到了56.58MB/秒，连续写入速度也非常接近读取速度，达到了56.34MB/秒，对于一款用了5400转2.5英寸的硬盘来说，这样的读写速度是比较令人满意的。

CineBench使用针对**电视行业开发的Cinema 4D特效软件引擎，可以测试CPU和显卡的性能，它在多核处理器的测试中绝对是重中之重。Maxon公司表示，相对于之前的9.x版，R10版更能榨干系统的最后一点潜能，准确体现系统性能指标。 |

测试包括两项，分别针对处理器和显卡的性能指标。第一项测试纯粹使用CPU渲染一张高精度的3D场景画面，在单处理器单线程下只运行一次，如果系统有多个处理器核心或支持多线程，则第一次只使用一个线程，第二次运行使用全部处理器核心和线程。第二项测试则针对显卡的OpenGL性能。

从测试结果来看，索尼S118的处理器在单核心单线程下得分为3725，而双核心四线程全部运行时得分达到了8142分，超过单核心成绩的两倍，双核心效能比达到了2.19X，这样的成绩体现了i5 520M处理器在支持多核心多线程的软件应用中具有很高的效率，更容易发挥出双核心四线程的优势。在OpenGL性能测试中得分为3338分。

在EVEREST内存读写测试中，索尼S118由于配置了4GB DDR3 1066内存，在读写速度上分别达到了7631MB/秒5878MB/秒，内存复制速度为7185MB/秒，这方面的表现很不错，不过内存潜伏时间稍微偏长。

游戏和播放测试

除了用PC MarkVantage和3DMark Vantage对索尼S118进行整机和图形性能进行测试外，我们还选用《生化危机5》对索尼S118进行测试。

在对该游戏的测试中，我们使用了Capcom官方提供的PC性能测试软件来进行测试。测试软件提供了固定场景和变换场景两种测试模式，在固定场景模式中，软件将以第一人称视角来观察固定的场景，从而得出最终测试成绩。而变换场景则用了游戏模式，通过两位主角在游戏中的动作进行四个场景的测试，最终将显示对玩家PC硬件的评测结果。我们分别用800X600、X768、1280X720三种分辨率模式进行测试。

1280X720分辨率 平均16.9 fps

X768 平均20.6fps

800X600分辨率 平均29.6fps

从以上的测试结果来看，索尼S118在最高1280X720分辨率下运行游戏是平均FPS只有16.9，无法流畅的运行游戏，因此如果想要获得连贯的游戏画面还需要适当降低分辨率。在X768分辨率下，FPS虽然有一定幅度的提升，但是20.6的FPS还不足以流畅运行此游戏，玩家可以将其他特效适当降低一点来获取更好的流畅度。在800X600时，游戏FPS达到了29.6，玩家可以获得较高的流畅度，不过此时画面效果就会降低，难以兼顾到流畅度和画质。总体来看，在其他特效默认是，三种分辨率下的得分均没超越C级，而玩家需要根据自己的喜好来在画质和流畅度之间找到平衡，比如在X768分辨率下，适当降低其他特效基本可以获得较好的游戏感受。

另外在该游戏的变换场景测试中，四个场景模式对CPU的占用率也是界限分明的，其中最消耗的一个场景，CPU占用率基本维持在80%左右，不过始终没突破85%，而最低的场景模式CPU占用率只在15%-25%之间。这也正好验证了索尼S118的整机性能方面，GT310M独立显卡成为制约系统性能发挥的瓶颈，而如果i5 520M处理器搭配GT 330M的话，整机性能应该会有较好的平衡度。

虽然GT 310M在游戏表现中不慎令人满意，不过在**播放上面，得益于显卡对解码的良好支持，播放过程中处理器的占用率最高也没超过28%，而最低仅占1%。

1080p《变形金刚》播放截图 1%占用率

1080p《变形金刚》播放截图 1%占用率

1080p《变形金刚》播放截图 28%占用率

当然，即使不依赖于显卡，仅凭酷睿i5 520M双核四线程处理器的解码，也可以轻松应对播放。

评测总结：外观设计做工优秀 i5双核四线程处理器是亮点 显卡稍逊一级

索尼的工艺设计向来都是强项，这在S118上体现的淋漓尽致，作为SR系列的衍生系中的一款，不仅完成了处理器构架等方面的升级，在产品外观上，尽管保持了SR系列的基本外观风格，不过在一些细节设计上还是能够看到人性化的改变，诸如键盘右侧、接口布局、音箱外观、摄像头等细节的优化设计。

回到配置上，索尼S118是此次发布的S11系列中的中端产品，全新32nm工艺的酷睿i5-520M处理器的用以及4G DDR3 1066内存和GT 310M独立显卡的配置使得这款机器很令人关注。32nm工艺的双核四线程处理器在性能表现上非常出色，甚至是使得GT 310M 512M独立显卡成为图形处理上的瓶颈。

索尼S118

索尼S118

另外，索尼S11系列相比SR系列，在配置上由酷睿P系列处理器全面更新为酷睿i系列，作为S11系列的中端机型，索尼S118的酷睿i5-520M双核四线程处理器的用和对睿频技术的支持，加上价格上也和同等性能的产品有一定优势，相信索尼S118会成为春节前后乃至2010年笔记本市场中的热点机型。

可否为我解释一下关于硬盘的各种数据呢

音响只有喇叭，那叫音箱。只有音箱没有功放机带动，喇叭是不会响起来的。必须根据喇叭的阻抗、功率，选择匹配的功放机，或者自己安装一个功放机。如果你对音响、电子元件有所喜好，建议你用音响专用集成块TDA2030组装一个功放机，带动你的喇叭，还可以提高自己的兴趣。此集成块周围使用元件比较少，只要按照电路图安装无误，装好即响，不用调试，带动一个6吋低音喇叭音质很不错。下面是电路图： 图中画红圈的电容器误差越小越好，电路图中所用的电容器耐压为25伏以上，功放块供电电压是直流12伏，需要一个输出电压12伏、40～60瓦的电源变压器，然后用1n5402整流二极管桥式整流后供给。其电源变压器及桥式整流、滤波电路图如下： 供电电路中的滤波电容器最好用两个耐压25伏3300微法，这样交流声比较小。

内存的SDR和DDR频率分别有哪些，哪种频率最快？

缓存

缓存（Cache memory）是硬盘控制器上的一块内存芯片，具有极快的存取速度，它是硬盘内部存储和外界接口之间的缓冲器。由于硬盘的内部数据传输速度和外界介面传输速度不同，缓存在其中起到一个缓冲的作用。缓存的大小与速度是直接关系到硬盘的传输速度的重要因素，能够大幅度地提高硬盘整体性能。当硬盘存取零碎数据时需要不断地在硬盘与内存之间交换数据，如果有大缓存，则可以将那些零碎数据暂存在缓存中，减小外系统的负荷，也提高了数据的传输速度。

硬盘的缓存主要起三种作用：一是预读取。当硬盘受到CPU指令控制开始读取数据时，硬盘上的控制芯片会控制磁头把正在读取的簇的下一个或者几个簇中的数据读到缓存中（由于硬盘上数据存储时是比较连续的，所以读取命中率较高），当需要读取下一个或者几个簇中的数据的时候，硬盘则不需要再次读取数据，直接把缓存中的数据传输到内存中就可以了，由于缓存的速度远远高于磁头读写的速度，所以能够达到明显改善性能的目的；二是对写入动作进行缓存。当硬盘接到写入数据的指令之后，并不会马上将数据写入到盘片上，而是先暂时存储在缓存里，然后发送一个“数据已写入”的信号给系统，这时系统就会认为数据已经写入，并继续执行下面的工作，而硬盘则在空闲（不进行读取或写入的时候）时再将缓存中的数据写入到盘片上。虽然对于写入数据的性能有一定提升，但也不可避免地带来了安全隐患——如果数据还在缓存里的时候突然掉电，那么这些数据就会丢失。对于这个问题，硬盘厂商们自然也有解决办法：掉电时，磁头会借助惯性将缓存中的数据写入零磁道以外的暂存区域，等到下次启动时再将这些数据写入目的地；第三个作用就是临时存储最近访问过的数据。有时候，某些数据是会经常需要访问的，硬盘内部的缓存会将读取比较频繁的一些数据存储在缓存中，再次读取时就可以直接从缓存中直接传输。

缓存容量的大小不同品牌、不同型号的产品各不相同，早期的硬盘缓存基本都很小，只有几百KB，已无法满足用户的需求。2MB和8MB缓存是现今主流硬盘所用，而在服务器或特殊应用领域中还有缓存容量更大的产品，甚至达到了16MB、64MB等。

大容量的缓存虽然可以在硬盘进行读写工作状态下，让更多的数据存储在缓存中，以提高硬盘的访问速度，但并不意味着缓存越大就越出众。缓存的应用存在一个算法的问题，即便缓存容量很大，而没有一个高效率的算法，那将导致应用中缓存数据的命中率偏低，无法有效发挥出大容量缓存的优势。算法是和缓存容量相辅相成，大容量的缓存需要更为有效率的算法，否则性能会大大折扣，从技术角度上说，高容量缓存的算法是直接影响到硬盘性能发挥的重要因素。更大容量缓存是未来硬盘发展的必然趋势。

内部数据传输率

内部数据传输率（Internal Transfer Rate）是指硬盘磁头与缓存之间的数据传输率，简单的说就是硬盘将数据从盘片上读取出来，然后存储在缓存内的速度。内部传输率可以明确表现出硬盘的读写速度，它的高低才是评价一个硬盘整体性能的决定性因素，它是衡量硬盘性能的真正标准。有效地提高硬盘的内部传输率才能对磁盘子系统的性能有最直接、最明显的提升。目前各硬盘生产厂家努力提高硬盘的内部传输率，除了改进信号处理技术、提高转速以外，最主要的就是不断的提高单碟容量以提高线性密度。由于单碟容量越大的硬盘线性密度越高，磁头的寻道频率与移动距离可以相应的减少，从而减少了平均寻道时间，内部传输速率也就提高了。虽然硬盘技术发展的很快，但内部数据传输率还是在一个比较低（相对）的层次上，内部数据传输率低已经成为硬盘性能的最大瓶颈。目前主流的家用级硬盘，内部数据传输率基本还停留在70~90 MB/s左右，而且在连续工作时，这个数据会降到更低。

数据传输率的单位一般用MB/s或Mbit/s，尤其在内部数据传输率上官方数据中更多的用Mbit/s为单位。此处有必要讲解一下两个单位二者之间的差异：

MB/s的含义是兆字节每秒，Mbit/s的含义是兆比特每秒，前者是指每秒传输的字节数量，后者是指每秒传输的比特位数。MB/s中的B字母是Byte的含义，虽然与Mbit/s中的bit翻译一样，都是比特，也都是数据量度单位，但二者是完全不同的。Byte是字节数，bit是位数，在计算机中每八位为一字节，也就是1Byte＝8bit，是1：8的对应关系。因此1MB/s等于8Mbit/s。因此在在书写单位时一定要注意B字母的大小写，尤其有些人还把Mbit/s简写为Mb/s，此时B字母的大小真可以称为失之毫厘，谬以千里。

上面这是一般情况下MB/s与Mbit/s的对应关系，但在硬盘的数据传输率上二者就不能用一般的MB和Mbit的换算关系（1B=8bit）来进行换算。比如某款产品官方标称的内部数据传输率为683Mbit/s，此时不能简单的认为683除以8得到85.375，就认为85MB/s是该硬盘的内部数据传输率。因为在683Mbit中还包含有许多bit（位）的信息，不完全是硬盘传输的数据，简单的用8来换算，将无法得到真实的内部数据传输率数值。

外部数据传输率

硬盘数据传输率的英文拼写为Data Transfer Rate，简称DTR。硬盘数据传输率表现出硬盘工作时数据传输速度，是硬盘工作性能的具体表现，它并不是一成不变的而是随着工作的具体情况而变化的。在读取硬盘不同磁道、不同扇区的数据；数据存放的是否连续等因素都会影响到硬盘数据传输率。因为这个数据的不确定性，所以厂商在标示硬盘参数时，更多是用外部数据传输率(External Transfer Rate)和内部数据传输率（Internal Transfer Rate）。

外部数据传输率(External Transfer Rate)，一般也称为突发数据传输或接口传输率。是指硬盘缓存和电脑系统之间的数据传输率，也就是计算机通过硬盘接口从缓存中将数据读出交给相应的控制器的速率。平常硬盘所用的ATA66、ATA100、ATA133等接口，就是以硬盘的理论最大外部数据传输率来表示的。ATA100中的100就代表着这块硬盘的外部数据传输率理论最大值是100MB/s；ATA133则代表外部数据传输率理论最大值是133MB/s；而SATA接口的硬盘外部理论数据最大传输率可达150MB/s。这些只是硬盘理论上最大的外部数据传输率，在实际的日常工作中是无法达到这个数值的。

转速

转速(Rotationl Speed)，是硬盘内电机主轴的旋转速度，也就是硬盘盘片在一分钟内所能完成的最大转数。转速的快慢是标示硬盘档次的重要参数之一，它是决定硬盘内部传输率的关键因素之一，在很大程度上直接影响到硬盘的速度。硬盘的转速越快，硬盘寻找文件的速度也就越快，相对的硬盘的传输速度也就得到了提高。硬盘转速以每分钟多少转来表示，单位表示为RPM，RPM是Revolutions Per minute的缩写，是转/每分钟。RPM值越大，内部传输率就越快，访问时间就越短，硬盘的整体性能也就越好。

硬盘的主轴马达带动盘片高速旋转，产生浮力使磁头飘浮在盘片上方。要将所要存取资料的扇区带到磁头下方，转速越快，则等待时间也就越短。因此转速在很大程度上决定了硬盘的速度。

家用的普通硬盘的转速一般有5400rpm、7200rpm几种，高转速硬盘也是现在台式机用户的首选；而对于笔记本用户则是4200rpm、5400rpm为主，虽然已经有公司发布了7200rpm的笔记本硬盘，但在市场中还较为少见；服务器用户对硬盘性能要求最高，服务器中使用的SCSI硬盘转速基本都用10000rpm，甚至还有15000rpm的，性能要超出家用产品很多。

较高的转速可缩短硬盘的平均寻道时间和实际读写时间，但随着硬盘转速的不断提高也带来了温度升高、电机主轴磨损加大、工作噪音增大等负面影响。笔记本硬盘转速低于台式机硬盘，一定程度上是受到这个因素的影响。笔记本内部空间狭小，笔记本硬盘的尺寸（2.5寸）也被设计的比台式机硬盘（3.5寸）小，转速提高造成的温度上升，对笔记本本身的散热性能提出了更高的要求；噪音变大，又必须取必要的降噪措施，这些都对笔记本硬盘制造技术提出了更多的要求。同时转速的提高，而其它的维持不变，则意味着电机的功耗将增大，单位时间内消耗的电就越多，电池的工作时间缩短，这样笔记本的便携性就受到影响。所以笔记本硬盘一般都用相对较低转速的4200rpm硬盘。

转速是随着硬盘电机的提高而改变的，现在液态轴承马达（Fluid dynamic bearing motors）已全面代替了传统的滚珠轴承马达。液态轴承马达通常是应用于精密机械工业上，它使用的是黏膜液油轴承，以油膜代替滚珠。这样可以避免金属面的直接磨擦，将噪声及温度被减至最低；同时油膜可有效吸收震动，使抗震能力得到提高；更可减少磨损，提高寿命。

平均寻道时间

平均寻道时间的英文拼写是Average Seek Time，它是了解硬盘性能至关重要的参数之一。它是指硬盘在接收到系统指令后，磁头从开始移动到移动至数据所在的磁道所花费时间的平均值，它一定程度上体现硬盘读取数据的能力，是影响硬盘内部数据传输率的重要参数，单位为毫秒（ms）。不同品牌、不同型号的产品其平均寻道时间也不一样，但这个时间越低，则产品越好，现今主流的硬盘产品平均寻道时间都在在9ms左右。

平均寻道时间实际上是由转速、单碟容量等多个因素综合决定的一个参数。一般来说，硬盘的转速越高，其平均寻道时间就越低；单碟容量越大，其平均寻道时间就越低。当单碟片容量增大时，磁头的寻道动作和移动距离减少，从而使平均寻道时间减少，加快硬盘速度。当然处于市场定位以及噪音控制等方面的考虑，厂商也会人为的调整硬盘的平均寻道时间。

在硬盘上数据是分磁道、分簇存储的，经常的读写操作后，往往数据并不是连续排列在同一磁道上，所以磁头在读取数据时往往需要在磁道之间反复移动，因此平均寻道时间在数据传输中起着十分重要的作用。在读写大量的小文件时，平均寻道时间也起着至关重要的作用。在读写大文件或连续存储的大量数据时，平均寻道时间的优势则得不到体现，此时单碟容量的大小、转速、缓存就是较为重要的因素。

磁头数

硬盘磁头是硬盘读取数据的关键部件，它的主要作用就是将存储在硬盘盘片上的磁信息转化为电信号向外传输，而它的工作原理则是利用特殊材料的电阻值会随着磁场变化的原理来读写盘片上的数据，磁头的好坏在很大程度上决定着硬盘盘片的存储密度。目前比较常用的是GMR（Giant Magneto Resisive）巨磁阻磁头，GMR磁头的使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构，这比以前的传统磁头和MR（Magneto Resisive）磁阻磁头更为敏感，相对的磁场变化能引起来大的电阻值变化，从而实现更高的存储密度 。

磁头是硬盘中对盘片进行读写工作的工具，是硬盘中最精密的部位之一。磁头是用线圈缠绕在磁芯上制成的。硬盘在工作时，磁头通过感应旋转的盘片上磁场的变化来读取数据；通过改变盘片上的磁场来写入数据。为避免磁头和盘片的磨损，在工作状态时，磁头悬浮在高速转动的盘片上方，而不与盘片直接接触，只有在电源关闭之后，磁头会自动回到在盘片上的固定位置（称为着陆区，此处盘片并不存储数据，是盘片的起始位置）。

由于磁头工作的性质，对其磁感应敏感度和精密度的要求都非常高。早先的磁头用铁磁性物质，在磁感应敏感度上不是很理想，因此早期的硬盘单碟容量都比较低，单碟容量大则碟片上磁道密度大，磁头感应程度不够，就无法准确读出数据。这就造成早期的硬盘容量都很有限。随着技术的发展，磁头在磁感应敏感度和精密度方面都有了长足的进步。

最初磁头是读、写功能一起的，这对磁头的制造工艺、技术都要求很高，而对于个人电脑来说，在与硬盘交换数据的过程中，读取数据远远快于写入数据，读、写操作二者的特性也完全不同，这也就导致了读、写分离的磁头，二者分别工作、各不干扰。

薄膜感应（TEI）磁头

在1990年至1995年间，硬盘用TFI读/写技术。TFI磁头实际上是绕线的磁芯。盘片在绕线的磁芯下通过时会在磁头上产生感应电压。TFI读磁头之所以会达到它的能力极限，是因为在提高磁灵敏度的同时，它的写能力却减弱了。

各向异性磁阻（AMR）磁头

AMR（Anisotropic Magneto Resistive）90年代中期，希捷公司推出了使用AMR磁头的硬盘。AMR磁头使用TFI磁头来完成写操作，但用薄条的磁性材料来作为读元件。在有磁场存在的情况下，薄条的电阻会随磁场而变化，进而产生很强的信号。硬盘译解由于磁场极性变化而引起的薄条电阻变化，提高了读灵敏度。AMR磁头进一步提高了面密度，而且减少了元器件数量。由于AMR薄膜的电阻变化量有一定的限度，AMR技术最大可以支持3.3GB/平方英寸的记录密度，所以AMR磁头的灵敏度也存在极限。这导致了GMR磁头的研发。

GMR（Giant Magneto Resistive，巨磁阻）

GMR磁头继承了TFI磁头和AMR磁头中用的读/写技术。但它的读磁头对于磁盘上的磁性变化表现出更高的灵敏度。GMR磁头是由4层导电材料和磁性材料薄膜构成的：一个传感层、一个非导电中介层、一个磁性的栓层和一个交换层。GMR传感器的灵敏度比AMR磁头大3倍，所以能够提高盘片的密度和性能。

硬盘的磁头数取决于硬盘中的碟片数，盘片正反两面都存储着数据，所以一个盘片对应两个磁头才能正常工作。比如总容量80GB的硬盘，用单碟容量80GB的盘片，那只有一张盘片，该盘片正反面都有数据，则对应两个磁头；而同样总容量120GB的硬盘，用二张盘片，则只有三个磁头，其中一张盘片的一面没有磁头。

硬盘及磁盘阵列常用技术术语

硬盘的转速(Rotational Speed)：也就是硬盘电机主轴的转速，转速是决定硬盘内部传输率的关键因素之一，它的快慢在很大程度上影响了硬盘的速度，同时转速的快慢也是区分硬盘档次的重要标志之一。 硬盘的主轴马达带动盘片高速旋转，产生浮力使磁头飘浮在盘片上方。要将所要存取资料的扇区带到磁头下方，转速越快，等待时间也就越短。因此转速在很大程度上决定了硬盘的速度。目前市场上常见的硬盘转速一般有5400rpm、7200rpm、甚至10000rpm。理论上，转速越快越好。因为较高的转速可缩短硬盘的平均寻道时间和实际读写时间。可是转速越快发热量越大，不利于散热。现在的主流硬盘转速一般为7200rpm以上。

平均寻道时间(Average seek time)：指硬盘在盘面上移动读写头至指定磁道寻找相应目标数据所用的时间，它描述硬盘读取数据的能力，单位为毫秒。当单碟片容量增大时，磁头的寻道动作和移动距离减少，从而使平均寻道时间减少，加快硬盘速度。目前市场上主流硬盘的平均寻道时间一般在9ms以下，大于10ms的硬盘属于较早的产品，一般不值得购买。

平 狈 奔?Average latency time)：指当磁头移动到数据所在的磁道后，然后等待所要的数据块继续转动到磁头下的时间，一般在2ms-6ms之间。

平均访问时间(Average access time)：指磁头找到指定数据的平均时间，通常是平均寻道时间和平均潜伏时间之和。平均访问时间最能够代表硬盘找到某一数据所用的时间，越短的平均访问时间越好，一般在11ms-18ms之间。注意：现在不少硬盘广告之中所说的平均访问时间大部分都是用平均寻道时间所代替的。

突发数据传输率(Burst data transfer rate)：指的是电脑通过数据总线从硬盘内部缓存区中所读取数据的最高速率。也叫外部数据传输率(External data transfer rate)。目前用UDMA/66技术的硬盘的外部传输率已经达到了66.6MB/s。

最大内部数据传输率(Internal data transfer rate)：指磁头至硬盘缓存间的最大数据传输率，一般取决于硬盘的盘片转速和盘片数据线密度(指同一磁道上的数据间隔度)。也叫持续数据传输率(sustained transfer rate)。一般用UDMA/66技术的硬盘的内部传输率也不过25-30MB/s，只有极少数产品超过30MB/s，由于内部数据传输率才是系统真正的瓶颈，因此大家在购买时要分清这两个概念。不过一般来讲，硬盘的转速相同时，单碟容量大的内

部传输率高；在单碟容量相同时，转速高的硬盘的内部传输率高。

自动检测分析及报告技术(Self-Monitoring Analysis and Report Technology，简称S.M.A.R.T): 现在出厂的硬盘基本上都支持S.M.A.R.T技术。这种技术可以对硬盘的磁头单元、盘片电机驱动系统、硬盘内部电路以及盘片表面媒介材料等进行监测，当S.M.A.R.T监测并分析出硬盘可能出现问题时会及时向用户报警以避免电脑数据受到损失。S.M.A.R.T技术必须在主板支持的前提下才能发生作用，而且S.M.A.R.T技术也不能保证能预报出所有可能发生的硬盘故障。

磁阻磁头技术MR(Magneto-Resistive Head)：MR(MNETO-RESITIVEHEAD)即磁阻磁头的简称。MR技术可以更高的实际记录密度、记录数据，从而增加硬盘容量，提高数据吞吐率。目前的MR技术已有几代产品。MAXTOR的钻石三代/四代等均用了最新的MR技术。磁阻磁头的工作原理是基于磁阻效应来工作的，其核心是一小片金属材料,其电阻随磁场变化而变化,虽然其变化率不足2%,但因为磁阻元件连着一个非常灵敏的放大器,所以可测出该微小的电阻变化。MR技术可使硬盘容量提高40%以上。GMR(GiantMagnetoresistive)巨磁阻磁头GMR磁头与MR磁头一样，是利用特殊材料的电阻值随磁场变化的原理来读取盘片上的数据，但是GMR磁头使用了磁阻效应更好的材料和多层薄膜结构，比MR磁头更为敏感，相同的磁场变化能引起更大的电阻值变化，从而可以实现更高的存储密度，现有的MR磁头能够达到的盘片密度为3Gbit-5Gbit/in2(千兆位每平方英寸)，而GMR磁头可以达到10Gbit-40Gbit/in2以上。目前GMR磁头已经处于成熟推广期，在今后的数年中，它将会逐步取代MR磁头，成为最流行的磁头技术。

缓存：缓存是硬盘与外部总线交换数据的场所。硬盘的读数据的过程是将磁信号转化为电信号后，通过缓存一次次地填充与清空，再填充，再清空，一步步按照PCI总线的周期送出，可见，缓存的作用是相当重要的。在接口技术已经发展到一个相对成熟的阶段的时候，缓存的大小与速度是直接关系到硬盘的传输速度的重要因素。目前主流硬盘的缓存主要有512KB和2MB等几种。其类型一般是EDO DRAM或SDRAM，目前一般以SDRAM为主。根据写入方式的不同，有写通式和回写式两种。写通式在读硬盘数据时，系统先检查请求指令，看看所要的数据是否在缓存中，如果在的话就由缓存送出响应的数据，这个过程称为命中。这样系统就不必访问硬盘中的数据，由于SDRAM的速度比磁介质快很多，因此也就加快了数据传输的速度。回写式就是在写入硬盘数据时也在缓存中找，如果找到就由缓存就数据写入盘中，现

在的多数硬盘都是用的回写式硬盘，这样就大大提高了性能。

连续无故障时间(MTBF)：指硬盘从开始运行到出现故障的最长时间。一般硬盘的MTBF至少在30000或40000小时。

部分响应完全匹配技术PRML(Partial Response Maximum Likelihood)：它能使盘片存储更多的信息，同时可以有效地提高数据的读取和数据传输率。是当前应用于硬盘数据读取通道中的先进技术之一。PRML技术是将硬盘数据读取电路分成两段“操作流水线”，流水线第一段将磁头读取的信号进行数字化处理然后只选取部分“标准”信号移交第二段继续处理，第二段将所接收的信号与PRML芯片预置信号模型进行对比，然后选取差异最小的信号进行组合后输出以完成数据的读取过程。PRML技术可以降低硬盘读取数据的错误率，因此可以进一步提高磁盘数据密集度。

单磁道时间(Single track seek time)：指磁头从一磁道转移至另一磁道所用的时间。

超级数字信号处理器(Ultra DSP)技术：应用Ultra DSP进行数算，其速度较一般CPU快10到50倍。用Ultra DSP技术，单个的DSP芯片可以同时提供处理器及驱动接口的双重功能，以减少其它电子元件的使用，可大幅度地提高硬盘的速度和可靠性。接口技术可以极大地提高硬盘的最大外部传输率，最大的益处在于可以把数据从硬盘直接传输到主内存而不占用更多的CPU，提高系统性能。

硬盘表面温度：指硬盘工作时产生的温度使硬盘密封壳温度上升情况。硬盘工作时产生的温度过高将影响薄膜式磁头(包括MR磁头)的数据读取灵敏度，因此硬盘工作表面温度较低的硬盘有更好的数据读、写稳定性。

全程访问时间(Max full seek time)：指磁头开始移动直到最后找到所需要的数据块所用的全部时间。

硬盘镜像（Disk Mirroring）：硬盘镜像最简单的形式是，一个主机控制器带二个互为镜像的硬盘。数据同时写入二个硬盘，二个硬盘上的数据完全相同，因此一个硬盘故障时，另一个硬盘可提供数据。

硬盘数据跨盘（Disk Spanning）:利用这种技术，几个硬盘看上去像一个大硬盘；这个虚拟盘可以把数据跨盘存储在不同的物理盘上，用户不需要关心哪个盘上存有他需要的数据

硬盘数据分段（Disk striping）:数据分散存储在几个盘上。数据的第一段放在盘0，第2段放在盘1，……直到达到硬盘链中的最后一个盘，然后下一个逻辑段放在硬盘0，再下一

个逻辑段放在盘1，……如此循环直至完成写操作。

双控（Duplexing）:这里指的是用二个控制器来驱动一个硬盘子系统。一个控制器发生故障，另一个控制器马上控制硬盘操作。此外，如果编写恰当的控制器软件，可实现不同的硬盘驱动器同时工作。

容错：（Fault Tolerant）：具有容错功能的机器有抗故障的能力。例如RAID 1镜像系统是容错的，镜像盘中的一个出故障，硬盘子系统仍能正常工作。

主机控制器（Host Adapter）:这里指的是使主机和外设进行数据交换的控制部件（如SCSI控制器）

热修复（Hot Fix）:指用一个硬盘热备份来替换发生故障的硬盘。要注意故障盘并不是真正地被物理替换了。用作热备份的盘被加载上故障盘原来的数据，然后系统恢复工作。

热补（Hot Patch）:具有硬盘热备份，可随时替换故障盘的系统。

热备份（Hot Spare）:与CPU系统电连接的硬盘，它能替换下系统中的故障盘。与冷备份的区别是，冷备份盘平时与机器不相连接，硬盘故障时才换下故障盘。

平均数据丢失时间（MTBDL – Mean Time Between Data Loss）:发生数据丢失的间的平均时间。

平均无故障工作时间（MTBF – Mean Time Between Failure 或 MTIF）：设备平均无故障运行时间。

廉价冗余磁盘阵列（RAID – Redundant Array of Inexpensive Drives）:一种将多个廉价硬盘组合成快速，有容错功能的硬盘子系统的技术。

系统重建（Reconstruction or Rebuild）:一个硬盘发生故障后，从其他正确的硬盘数据和奇偶信息恢复故障盘数据的过程。

恢复时间（Reconstruction Time）:为故障盘重建数据所需要的时间。

单个大容量硬盘（SED – Singe Expensive Drive）

传输速率（Transfer Rate）:指在不同条件下存取数据的速度。

虚拟盘（Virtual Disk）:与虚拟存储器类似，虚拟盘是一个概念盘，用户不必关心他的数据写在哪个物理盘上。虚拟盘一般跨越几个物理盘。但用户看到的只是一个盘。

热插拔（Hot Swap）:指在不宕机制情况下，在线更换设备。

DAS （direct access storage device）直接访问存储设备

NAS （Network Attached Storage）网络附加存储设备

SAN （Storage Area Networks）存储区域网

什么叫超频？

SDRAM：SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。

与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。

DDR SDRAM：严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。

SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。

与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。

内存工作原理是什么？能告诉我具体点吗？

通常所说的超频简单来说就是人为提高CPU的外频或倍频，使之运行频率（主频＝外频*倍频）得到大幅提升，即超CPU。

其它的如系统总线、显卡、内存等都可以超频使用。

可以通过软件调节和改造硬件来实现。

超频会影响系统稳定性，缩短硬件使用寿命，甚至烧毁硬件设备（并不是只有CPU受影响！！！），所以，没有特殊原因最好不要超频。

答二：

超频是使得各种各样的电脑部件运行在高于额定速度下的方法。例如，如果你购买了一颗Pentium 4 3.2GHz处理器，并且想要它运行得更快，那就可以超频处理器以让它运行在3.6GHz下。

郑重声明！

警告：超频可能会使部件报废。超频有风险，如果超频的话整台电脑的寿命可能会缩短。如果你尝试超频的话，我将不对因为使用这篇指南而造成的任何损坏负责。这篇指南只是为那些大体上接受这篇超频指南/FAQ以及超频的可能后果的人准备的。

为什么想要超频？是的，最明显的动机就是能够从处理器中获得比付出更多的回报。你可以购买一颗相对便宜的处理器，并把它超频到运行在贵得多的处理器的速度下。如果愿意投入时间和努力的话，超频能够省下大量的金钱；如果你是一个象我一样的狂热玩家的话，超频能够带给你比可能从商店买到的更快的处理器。

超频的危险

首先我要说，如果你很小心并且知道要做什么的话，那对你来说，通过超频要对计算机造成任何永久性损伤都是非常困难的。如果把系统超得太过的话，会烧毁电脑或无法启动。但仅仅把它推向极限是很难烧毁系统的。

然而仍有危险。第一个也是最常见的危险就是发热。在让电脑部件高于额定参数运行的时候，它将产生更多的热量。如果没有充分散热的话，系统就有可能过热。不过一般的过热是不能摧毁电脑的。由于过热而使电脑报废的唯一情形就是再三尝试让电脑运行在高于推荐的温度下。就我说，应该设法抑制在60 C以下。

不过无需过度担心过热问题。在系统崩溃前会有征兆。随机重启是最常见的征兆了。过热也很容易通过热传感器的使用来预防，它能够显示系统运行的温度。如果你看到温度太高的话，要么在更低的速度下运行系统，要么用更好的散热。稍后我将在这篇指南中讨论散热。

超频的另一个"危险"是它可能减少部件的寿命。在对部件施加更高的电压时，它的寿命会减少。小小的提升不会造成太大的影响，但如果打算进行大幅超频的话，就应该注意寿命的缩短了。然而这通常不是问题，因为任何超频的人都不太可能会使用同一个部件达四、五年之久，并且也不可能说任何部件只要加压就不能撑上4-5年。大多数处理器都是设计为最高使用10年的，所以在超频者的脑海中，损失一些年头来换取性能的增加通常是值得的。

基础知识

为了了解怎样超频系统，首先必须懂得系统是怎样工作的。用来超频最常见的部件就是处理器了。

在购买处理器或CPU的时候，会看到它的运行速度。例如，Pentium 4 3.2GHz CPU运行在3200MHz下。这是对一秒钟内处理器经历了多少个时钟周期的度量。一个时钟周期就是一段时间，在这段时间内处理器能够执行给定数量的指令。所以在逻辑上，处理器在一秒内能完成的时钟周期越多，它就能够越快地处理信息，而且系统就会运行得越快。1MHz是每秒一百万个时钟周期，所以3.2GHz的处理器在每秒内能够经历3，200，000，000或是3十亿200百万个时钟周期。相当了不起，对吗？

超频的目的是提高处理器的GHz等级，以便它每秒钟能够经历更多的时钟周期。计算处理器速度的公式是这个：

FSB（以MHz为单位）×倍频 = 速度（以MHz为单位）。

现在来解释FSB和倍频是什么：

FSB（对AMD处理器来说是HTT*），或前端总线，就是整个系统与CPU通信的通道。所以，FSB能运行得越快，显然整个系统就能运行得越快。

CPU厂商已经找到了增加CPU的FSB有效速度的方法。他们只是在每个时钟周期中发送了更多的指令。所以CPU厂商已经有每个时钟周期发送两条指令的办法（AMD CPU），或甚至是每个时钟周期四条指令（Intel CPU），而不是每个时钟周期发送一条指令。那么在考虑CPU和看FSB速度的时候，必须认识到它不是真正地在那个速度下运行。Intel CPU是"四芯的"，也就是它们每个时钟周期发送4条指令。这意味着如果看到800MHz的FSB，潜在的FSB速度其实只有200MHz，但它每个时钟周期发送4条指令，所以达到了800MHz的有效速度。相同的逻辑也适用于AMD CPU，不过它们只是"二芯的"，意味着它们每个时钟周期只发送2条指令。所以在AMD CPU上400MHz的FSB是由潜在的200MHz FSB每个时钟周期发送2条指令组成的。

这是重要的，因为在超频的时候将要处理CPU真正的FSB速度，而不是有效CPU速度。

速度等式的倍频部分也就是一个数字，乘上FSB速度就给出了处理器的总速度。例如，如果有一颗具有200MHz FSB（在乘二或乘四之前的真正FSB速度）和10倍频的CPU，那么等式变成：

（FSB）200MHz×（倍频）10 = 2000MHz CPU速度，或是2.0GHz。

在某些CPU上，例如Intel自1998年以来的处理器，倍频是锁定不能改变的。在有些上，例如AMD Athlon 64处理器，倍频是"封顶锁定"的，也就是可以改变倍频到更低的数字，但不能提高到比最初的更高。在其它的CPU上，倍频是完全放开的，意味着能够把它改成任何想要的数字。这种类型的CPU是超频极品，因为可以简单地通过提高倍频来超频CPU，但现在非常罕见了。

在CPU上提高或降低倍频比FSB容易得多了。这是因为倍频和FSB不同，它只影响CPU速度。改变FSB时，实际上是在改变每个单独的电脑部件与CPU通信的速度。这是在超频系统的所有其它部件了。这在其它不打算超频的部件被超得太高而无法工作时，可能带来各种各样的问题。不过一旦了解了超频是怎样发生的，就会懂得如何去防止这些问题了。

* 在AMD Athlon 64 CPU上，术语FSB实在是用词不当。本质上并没有FSB。FSB被整合进了芯片。这使得FSB与CPU的通信比Intel的标准FSB方法快得多。它还可能引起一些混乱，因为Athlon 64上的FSB有时可能被说成HTT。如果看到某些人在谈论提高Athlon 64 CPU上的HTT，并且正在讨论认可为普通FSB速度的速度，那么就把HTT当作FSB来考虑。在很大程度上，它们以相同的方式运行并且能够被视为同样的事物，而把HTT当作FSB来考虑能够消除一些可能发生的混淆。

怎样超频

那么现在了解了处理器怎样到达它的额定速度了。非常好，但怎样提高这个速度呢？

超频最常见的方法是通过BIOS。在系统启动时按下特定的键就能进入BIOS了。用来进入BIOS最普通的键是Delete键，但有些可能会使用象F1，F2，其它F按钮，Enter和另外什么的键。在系统开始载入Windows（任何使用的OS）之前，应该会有一个屏幕在底部显示要使用什么键的。

定BIOS支持超频*，那一旦进到BIOS，应该可以使用超频系统所需要的全部设置。最可能被调整的设置有：

倍频，FSB，RAM延时，RAM速度及RAM比率。

在最基本的水平上，你唯一要设法做到的就是获得你所能达到的最高FSB×倍频公式。完成这个最简单的办法是提高倍频，但那在大多数处理器上无法实现，因为倍频被锁死了。其次的方法就是提高FSB。这是相当具局限性的，所有在提高FSB时必须处理的RAM问题都将在下面说明。一旦找到了CPU的速度极限，就有了不只一个的选择了。

如果你实在想要把系统推到极限的话，为了把FSB升得更高就可以降低倍频。要明白这一点，想象一下拥有一颗2.0GHz的处理器，它用200MHz FSB和10倍频。那么200MHz×10 = 2.0GHz。显然这个等式起作用，但还有其它办法来获得2.0GHz。可以把倍频提高到20而把FSB降到100MHz，或者可以把FSB升到250MHz而把倍频降低到8。这两个组合都将提供相同的2.0GHz。那么是不是两个组合都应该提供相同的系统性能呢？

不是的。因为FSB是系统用来与处理器通信的通道，应该让它尽可能地高。所以如果把FSB降到100MHz而把倍频提高到20的话，仍然会拥有2.0GHz的时钟速度，但系统的其余部分与处理器通信将会比以前慢得多，导致系统性能的损失。

在理想情况下，为了尽可能高地提高FSB就应该降低倍频。原则上，这听起来很简单，但在包括系统其它部分时会变得复杂，因为系统的其它部分也是由FSB决定的，首要的就是RAM。这也是我在下一节要讨论的。

* 大多数的零售电脑厂商使用不支持超频的主板和BIOS。你将不能从BIOS访问所需要的设置。有工具允许从Windows系统进行超频，但我不推荐使用它们，因为我从未亲自试验过。

RAM及它对超频的影响

如我之前所说的，FSB是系统与CPU通信的路径。所以提高FSB也有效地超频了系统的其余部件。

受提高FSB影响最大的部件就是RAM。在购买RAM时，它是被设定在某个速度下的。我将使用表格来显示这些速度：

PC-2100 - DDR266

PC-2700 - DDR333

PC-3200 - DDR400

PC-3500 - DDR434

PC-3700 - DDR464

PC-4000 - DDR500

PC-4200 - DDR525

PC-4400 - DDR550

PC-4800 - DDR600

要了解这个，就必须首先懂得RAM是怎样工作的。RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）被用作CPU需要快速存取的文件的临时存储。例如，在载入游戏中平面的时候，CPU会把平面载入到RAM以便它能在任何需要的时候快速地访问信息，而不是从相对慢的硬盘载入信息。

要知道的重要一点就是RAM运行在某个速度下，那比CPU速度低得多。今天，大多数RAM运行在133MHz至300MHz之间的速度下。这可能会让人迷惑，因为那些速度没有被列在我的图表上。

这是因为RAM厂商仿效了CPU厂商的做法，设法让RAM在每个RAM时钟周期发送两倍的信息*。这就是在RAM速度等级中DDR的由来。它代表了Double Data Rate（两倍数据速度）。所以DDR 400意味着RAM在400MHz的有效速度下运转，DDR 400中的400代表了时钟速度。因为它每个时钟周期发送两次指令，那就意味着它真正的工作频率是200MHz。这很像AMD的"二芯"FSB。

那么回到RAM上来。之前有列出DDR PC-4000的速度。PC-4000等价于DDR 500，那意味着PC-4000的RAM具有500MHz的有效速度和潜在的250MHz时钟速度。

所以超频要做什么呢？

如我之前所说的，在提高FSB的时候，就有效地超频了系统中的其它所有东西。这也包括RAM。额定在PC-3200（DDR 400）的RAM是运行在最高200MHz的速度下的。对于不超频的人来说，这是足够的，因为FSB无论如何不会超过200MHz。

不过在想要把FSB升到超过200MHz的速度时，问题就出现了。因为RAM只额定运行在最高200MHz的速度下，提高FSB到高于200MHz可能会引起系统崩溃。这怎样解决呢？有三个解决办法：使用FSB：RAM比率，超频RAM或是购买额定在更高速度下的RAM。

因为你可能只了解那三个选择中的最后一个，所以我将来解释它们：

FSB：RAM比率：如果你想要把FSB提高到比RAM支持的更高的速度，可以选择让RAM运行在比FSB更低的速度下。这使用FSB：RAM比率来完成。基本上，FSB：RAM比例允许选择数字以在FSB和RAM速度之间设立一个比率。设你正在使用的是PC-3200（DDR 400）RAM，我之前提到过它运行在200MHz下。但你想要提高FSB到250MHz来超频CPU。很明显，RAM将不支持升高的FSB速度并很可能会引起系统崩溃。为了解决这个，可以设立5：4的FSB：RAM比率。基本上这个比率就意味着如果FSB运行在5MHz下，那么RAM将只运行在4MHz下。

更简单来说，把5：4的比率改成100：80比率。那么对于FSB运行在100MHz下，RAM将只运行在80MHz下。基本上这意味着RAM将只运行在FSB速度的80％下。那么至于250MHz的目标FSB，运行在5：4的FSB：RAM比率中，RAM将运行在200MHz下，那是250MHz的80％。这是完美的，因为RAM被额定在200MHz。

然而，这个解决办法不理想。以一个比率运行FSB和RAM导致了FSB与RAM通信之间的时间差。这引起减速，而如果RAM与FSB运行在相同速度下的话是不会出现的。如果想要获得系统的最大速度的话，使用FSB：RAM比率不会是最佳方案。

超频RAM

超频RAM实在是非常简单的。超频RAM的原则跟超频CPU是一样的：让RAM运行在比它被设定运行的更高的速度下。幸好两种超频之间的类似之处很多，否则RAM超频会比想象中复杂得多。

要超频RAM，只需要进入BIOS并尝试让RAM运行在比额定更高的速度下。例如，可以设法让PC-3200（DDR 400）的RAM运行在210MHz的速度下，这会超过额定速度10MHz。这可能没事，但在某些情况下会导致系统崩溃。如果这发生了，不要惊慌。通过提高RAM电压，问题能够相当容易地解决。RAM电压，也被称为vdimm，在大多数BIOS中是能够调节的。用最小的可用增量提高它，并测试每个设置以观察它是否运转。一旦找到一个运转的设置，可以要么保持它，要么尝试进一步提高RAM。然而，如果给RAM加太多电压的话，它可能会报废。

在超频RAM时你只还需要担心另一件事，就是延时。这些延时是在某些RAM运行之间的延迟。基本上，如果你想要提高RAM速度的话，可能就不得不提高延时。不过它还没有复杂到那种程度，不应该难到无法理解的。

这就是关于它的全部了。如果只超频CPU是很简单的。

购买更高速的RAM

这是整个指南中最简单的了，如果你想要把FSB提高到比如说250MHz，只要买额定运行在250MHz下的RAM就行了，也就是DDR 500。对这个选择唯一的缺点就是较快的RAM将比较慢的RAM花费更多。因为超频RAM是相对简单的，所以可能应该考虑购买较慢的RAM并超频它以符合需要。根据你需要的RAM类型，这可能会省下许多钱。

这基本上就是关于RAM和超频所需要了解的全部了。现在进入指南的其它部分。

电压及它怎样影响超频

在超频时有一个极点，不论怎么做或拥有多好的散热都不能再增加CPU的速度了。这很可能是因为CPU没有获得足够的电压。跟前面提到的内存电压情况十分相似。为了解决这个问题，只要提高CPU电压，也就是vcore就行了。以在RAM那节中描述的相同方式来完成这个。一旦拥有使CPU稳定的足够电压，就可以要么让CPU保存在那个速度下，要么尝试进一步超频它。跟处理RAM一样，小心不要让CPU电压过载。每个处理器都有厂家推荐的电压设置。在网站上找到它们。设法不要超过推荐的电压。

紧记提高CPU电压将引起大得多的发热量。这就是为什么在超频时要有好的散热的本质原因。那引导出下一个主题。

散热

如我之前所说的，在提高CPU电压时，发热量大幅增长。这必需要适当的散热。基本上有三个"级别"的机箱散热：

风冷（风扇）

水冷

Peltier/相变散热（非常昂贵和高端的散热）

我对Peltier/相变散热方法实在没有太多的了解，所以我不准备说它。你唯一需要知道的就是它会花费1000美元以上，并且能够让CPU保持在零下的温度。它是供非常高端的超频者使用的，我想在这里没人会用它吧。

然而，另外两个要便宜和现实得多。

每个人都知道风冷。如果你现在正在电脑前面的话，你可能听到从它传出持续的嗡嗡声。如果从后面看进去，就会看到一个风扇。这个风扇基本上就是风冷的全部了：使用风扇来吸取冷空气并排出热空气。有各种各样的方法来安装风扇，但通常应该有相等数量的空气被吸入和排出。

水冷比风冷更昂贵和奇异。它基本上是使用抽水机和水箱来给系统散热的，比风冷更有效。

那些就是两个最普遍使用的机箱散热方法。然而，好的机箱散热对一部清凉的电脑来说并不是唯一必需的部件。其它主要的部件有CPU散热片/风扇，或者说是H。H的目的是把来自CPU的热量引导出来并进入机箱，以便它能被机箱风扇排出。在CPU上一直有一个H是必要的。如果有几秒钟没有它，CPU可能就会烧毁。

好了，这就是超频的基础了。

超频FAQ

这只是对超频的基本提示/技巧的汇集，以及它是什么和它包括什么的一个基本的概观。

超频能到什么程度？

不是所有的芯片/部件超频都一样的。仅仅因为有人让Prescott上到了5 GHz，那并不意味着你的就保证能到4 GHz，等等。每块芯片在超频能力上是不同的。有些很好，有些是垃圾，大多数是一般的。试过才知道。

这是好的超频吗？

你对获得的感到快乐吗？如果肯定的话，那就是了（除非它只有5％或更少的超频 - 那么就需要继续了，除非超频后变得不稳定了）。否则就继续。如果到达了芯片的界限，那就无能为力了。

多热才算过热/多少电压才算太高？

作为对于安全温度的一个普通界定，在满负荷下的温度对P4来说应该是低于60 C，而对Athlon来说是55 C。越低越好，但温度高时也不要害怕。检查部件，看它是否很好地在规格以内。至于电压，1.65至1.7对P4来说是好的界限，而Athlon能够上到风冷下1.8/水冷下2.0 - 一般而言。根据散热的不同，更高/更低的电压可能都是适当的。芯片上的界限是令人惊讶地高。例如在Barton核心Athlon XP+上的最大温度/电压是85 C和2.0伏。2伏对大多数超频来说足够的，而85 C是相当高的。

我需要更好的散热吗？

取决于当前的温度是多少和你正打算对系统做什么。如果温度太高，那就可能需要更好的散热了，或至少需要重新安放散热片和整理电线了。良好的电线布置能够对机箱空气流动起很大的作用。同样，散热剂的适当应用对温度来说是很重要的。让散热片尽可能地紧贴处理器。如果那帮助不大或完全没用，那么你可能需要更好的散热了。

什么是最常见的散热方法？

最常见的方法是风冷。它是在散热片之上放一个风扇，然后扣在CPU上面。这些可能会很安静，非常吵或是介于两者之间，取决于使用的风扇情况。它们会是相当有效的散热器，但还有更有效的散热方案。其中之一就是水冷，但我将稍后再讨论它。

风冷散热器是由Zalman，Thermalright，Thermaltake，Swiftech，Alpha，Coolermaster，Vantec等等这些公司制造的。Zalman制造某些最好的静音散热设备，并以它们的"花形散热器"设计而闻名。它们有最有效的静音散热设计之一7000Cu/AlCu（全铝或铝铜混合物），它还是性能较好的设计之一。Thermalright在使用适当的风扇时是（相当）无可争议的最高性能散热设备生产者。Swiftech和Alpha在Thermalright走上前台之前是性能之王，现在仍是极好的散热设备，并且能够用于比Thermalright散热设备更广阔的应用领域，因为它们通常比Thermalright散热设备更小并适合更多的主板。Thermaltake生产大量的廉价散热器，但恕我直言，它们实在不值。它们表现不出跟其它散热设备厂商的散热片相同的水平，不过它们能用在廉价机箱中。这覆盖了最受欢迎的散热设备厂商。

再来说水冷。水冷主要仍是边缘方案，但一直在变得更主流化。NEC和HP制造了能以零售方式购买的水冷系统。尽管如此，绝大多数的水冷仍然是面向发烧友领域的。在水冷回路中包括有几个最基本的部件。至少有一个水箱，通常在CPU上，有时也在GPU上。有一个水泵，有时有蓄水池。还有一到两个散热器。

水箱通常是以铜或（较少见的）铝建造。甚至更少见但正在变得多起来的是银造的水箱。对水箱有几个不同种类的内部设计，但在这里我不准备深入讨论那些。水泵负责推动水通过回路。最常见的水泵是Eheim水泵（1046，1048，1250），Hydor（L20/L30）及Danner Mag3。Iwaki水泵也流行在高端群体之中。Swiftech MCP600水泵正变得更加受欢迎。那两个都是高端12V水泵。蓄水池是有用的，因为它增加了回路中水的体积并使得填充和放气（把气泡排出回来）及维护更容易了。然而，它占据了大多数机箱中相当可观的空间（小的蓄水池就不碍事），并且它还相对容易会泄漏。散热器可以是像Swiftech的散热器或Black Ice散热器这样的成品，也可以用汽车加热器核心改装。加热器核心通常好在出众的性能以及较低的价格，但也更难以装配，因为它们通常不会用能被水冷快速而容易地使用的形状。油箱散热器对那些有奇怪尺寸需求的来说是个可供选择的办法，因为它们用非常多变的形状和尺寸（不过通常是矩形）。然而，它们的表现不如加热器核心好。管道系统在性能上也是一个要素。通常对高性能来说，1/2'直径被认为是最好的。不过，3/8'甚至是1/4'直径的装备正变得更常见，而它们的性能也正在逼近1/2'直径回路的。这节中关于水冷要说的就是这么多了。什么是有些少见的散热类型？

相变、冷冻水、珀尔帖效应（热能转换器）和淹没装备是少见的，但性能更高。珀尔帖效应散热和冷冻水回路两者都是基于水冷的，因为它们是用改良的水冷回路的。珀尔帖效应是这些类型当中最常见的。珀尔帖是在电流通过时一边变热而另一边变冷的设备。这能够被用在CPU和水箱之间或GPU和水箱之间。少见的是对北桥的珀尔帖散热，但这实在是没有必要。冷冻水回路使用珀尔帖或相变来使回路中的水变凉，通常替代回路中给CPU/GPU散热的散热器。使用珀尔帖来做这个工作不是很有效率的，因为它经常需要另一个水冷回路来使它变凉。珀尔帖通常被散热设备和水箱或水箱跟另一个水箱夹在中间。相变方法包括在A/C单元中放置冷气头或冷气部件，或是像在蓄水池中那样。在冷冻水装备中防冻剂通常以大约50/50的比率添加到水中，因为结冰就不好了。管道系统必须是绝缘的，水箱也是如此。相变包括一个压缩机和一个连接到CPU或GPU的冷却头。在这里我不准备太深入地讨论它。

其它不常见的方法包括干冰，液氮，水冷PSU和硬盘，及其它类似的。使用机箱作为散热设备也被考虑到并试过了。

预制的水冷系统怎样？

Koolance和Corsair是唯一真正值得考虑的。小的Globalwin产品还行，但并不比任何中高端风冷好。其余的都不行。避免用它们。最新的Thermaltake产品可能不错。新套件可能是相当好的（Kingwin产品似乎就是这样），但在购买任何产品之前要阅读若干评测，并至少有一个是在你将使用的平台上测试的。

超频的危险是什么？

关于超频有几个危险，它们显然不应该被忽视。超规格运行任何部件将缩短它的寿命；不过新的芯片在处理这个问题上远好于旧的产品，所以这几乎不成为问题了，特别是如果你每6个月或每年都升级的话。对于长期稳定性，例如像准备一直运行超过2年或类似工作时间的电脑，超频不是好的想法。而且，超频有可能会破坏数据，所以如果你没有备份任何重要数据的话，超频实在是不适合你的，除非你能不费力地恢复数据，并且它不会引起任何问题。但在开始超频前要考虑到可能的数据丢失。如果你只有一台电脑并且需要它来做重要的事的话，不推荐超频（特别是在高电压下的大幅超频），因为部件损坏的可能性还是有的（我已经损失了几个部件来超频，但不如某些人损失的那么多），所以也需要被考虑。

我要怎样超频？

这是一个相当复杂的问题，但基础是很简单的。最简单的方法就是提高FSB。这几乎在任何平台上有效。然而，Via芯片组（KT266/333/400（a）/600/880和K8T800 - 不要跟已有的K8T800 Pro混淆了）没有PCI/P锁定，所以你必须小心地提高FSB，因为超规格运行PCI总线（33MHz是标准速度）可能损坏硬盘数据，妨碍设备正确地运行（特别是ATI P显卡），通常导致不稳定。这将在稍后解释。用于AMD的XP芯片的nForce2芯片组，nForce3 250，Via K8T800 Pro和Intel 865/875芯片组全都拥有锁定的PCI频率。不然的话，许多基于i845的主板也会有PCI/P锁定。这使得调节FSB容易多了，因为它消除了某些限制因素，比如像对频率敏感的设备。然而，限制仍是存在的。除了通过芯片自身施加的影响之外，RAM和芯片组以及主板自己都能限制可以获得的FSB。那正是倍频调节的用武之地。

在某些Athlon XP芯片上，倍频是可调节的。这些芯片被称为"非锁定的"。除了完全不锁定的FX系列之外，Athlon 64系列允许倍频调节到更低的倍频。Pentium 4是锁死的，除非你通过某些渠道获得了工程样品。然而，几乎所有的主板都允许倍频调节，只要CPU支持它。

一旦系统因为CPU限制而变得不稳定，那有两个选择。可以要么降低一点回到它稳定的位置，要么可以提高CPU电压（可能还有RAM和P电压）到它变得稳定为止，或甚至是升得更高以进一步超频。如果提高CPU电压或提高内存电压没有帮助的话，你还可以尝试"放宽"内存延时（提高那些数字）直到它变得稳定。如果所有这些都没用的话，主板可能还有用于提高芯片组电压的备用方案，如果芯片组充分散热的话这可能会有帮助。如果完全没有帮助，那你可能需要在CPU或其它部件上更好的散热了（对MOETS - 挨着CPU插槽，控制电源的小芯片散热 - 可能有用并且是相当常见的）。如果那仍然没有用，或收效甚微的话，那就是在芯片或主板的极限下了。如果降低电压不影响稳定性的话，那么最可能的就是主板了。电压调节芯片组是一个可能性，但有点太高级了并且需要超出常规的更好散热。同样，对南桥以及北桥散热可能会有帮助，或者可能改善稳定性。我知道在我的主板上，如果没有在南桥上装散热片就运行WinAMP/XMMS和UT2004的话集成声卡就开始发出爆音（这出现在Windows和Linux中），无论FSB是多少。所以它不是一个糟糕的想法，但可能不必要。它通常还让质保失效（比超频还严重 - 超频通常可以做得不留痕迹）。

这里覆盖了基本的超频。更高级的超频通常包括给所有部件加上散热设备，电压调节主板甚至可能是电源，增加更多/更好的风扇或是

SDRAM与内存基础概念

虽然有关内存结构与时序的基础概念，在本刊2001年第2期的专题中就已有阐述，但在这里为了保证专题的可读性，我们需要再次加强这方面的系统认识。正确并深刻理解内存的基础概念，是阅读本专题的第一条件。因为即使是RDRAM，在很多方面也是与SDRAM相似的，而至于DDR与DDR-Ⅱ、QBM等形式的内存更是与SDRAM有着紧密的联系。

一、 SDRAM内存模组与基本结构

我们平时看到的SDRAM都是以模组形式出现，为什么要做成这种形式呢？这首先要接触到两个概念：物理Bank与芯片位宽。

PC133时代的168pin SDRAM DIMM

1、 物理Bank

传统内存系统为了保证CPU的正常工作，必须一次传输完CPU在一个传输周期内所需要的数据。而CPU在一个传输周期能接受的数据容量就是CPU数据总线的位宽，单位是bit（位）。当时控制内存与CPU之间数据交换的北桥芯片也因此将内存总线的数据位宽等同于CPU数据总线的位宽，而这个位宽就称之为物理Bank（Physical Bank，下文简称P-Bank）的位宽。所以，那时的内存必须要组织成P-Bank来与CPU打交道。资格稍老的玩家应该还记得Pentium刚上市时，需要两条72pin的SIMM才能启动，因为一条72pin -SIMM只能提供32bit的位宽，不能满足Pentium的64bit数据总线的需要。直到168pin-SDRAM DIMM上市后，才可以使用一条内存开机。下面将通过芯片位宽的讲述来进一步解释P-Bank的概念。

不过要强调一点，P-Bank是SDRAM及以前传统内存家族的特有概念，在RDRAM中将以通道（Channel）取代，而对于像Intel E7500那样的并发式多通道DDR系统，传统的P-Bank概念也不适用。

2、 芯片位宽

上文已经讲到SDRAM内存系统必须要组成一个P-Bank的位宽，才能使CPU正常工作，那么这个P-Bank位宽怎么得到呢？这就涉及到了内存芯片的结构。

每个内存芯片也有自己的位宽，即每个传输周期能提供的数据量。理论上，完全可以做出一个位宽为64bit的芯片来满足P-Bank的需要，但这对技术的要求很高，在成本和实用性方面也都处于劣势。所以芯片的位宽一般都较小。台式机市场所用的SDRAM芯片位宽最高也就是16bit，常见的则是8bit。这样，为了组成P-Bank所需的位宽，就需要多颗芯片并联工作。对于16bit芯片，需要4颗（4×16bit=64bit）。对于8bit芯片，则就需要8颗了。

以上就是芯片位宽、芯片数量与P-Bank的关系。P-Bank其实就是一组内存芯片的集合，这个集合的容量不限，但这个集合的总位宽必须与CPU数据位宽相符。随着计算机应用的发展，一个系统只有一个P-Bank已经不能满足容量的需要。所以，芯片组开始可以支持多个P-Bank，一次选择一个P-Bank工作，这就有了芯片组支持多少（物理）Bank的说法。而在Intel的定义中，则称P-Bank为行（Row），比如845G芯片组支持4个行，也就是说它支持4个P-Bank。另外，在一些文档中，也把P-Bank称为Rank（列）。

回到开头的话题，DIMM是SDRAM集合形式的最终体现，每个DIMM至少包含一个P-Bank的芯片集合。在目前的DIMM标准中，每个模组最多可以包含两个P-Bank的内存芯片集合，虽然理论上完全可以在一个DIMM上支持多个P-Bank，比如SDRAM DIMM就有4个芯片选择信号（Chip Select，简称片选或CS），理论上可以控制4个P-Bank的芯片集合。只是由于某种原因而没有这么去做。比如设计难度、制造成本、芯片组的配合等。至于DIMM的面数与P-Bank数量的关系，在2001年2月的专题中已经明确了，面数≠P-Bank数，只有在知道芯片位宽的情况下，才能确定P-Bank的数量，大度256MB内存就是明显一例，而这种情况在Registered模组中非常普遍。有关内存模组的设计，将在后面的相关章节中继续探讨。

二、 SDRAM内存芯片的内部结构

1、逻辑Bank与芯片位宽

讲完SDRAM的外在形式，就该深入了解SDRAM的内部结构了。这里主要的概念就是逻辑Bank。简单地说，SDRAM的内部是一个存储阵列。因为如果是管道式存储（就如排队买票），就很难做到随机访问了。

阵列就如同表格一样，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格。和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row），再指定一个列（Column），我们就可以准确地找到所需要的单元格，这就是内存芯片寻址的基本原理。对于内存，这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）叫什么呢？它就是逻辑Bank（Logical Bank，下文简称L-Bank）。

L-Bank存储阵列示意图

由于技术、成本等原因，不可能只做一个全容量的L-Bank，而且最重要的是，由于SDRAM的工作原理限制，单一的L-Bank将会造成非常严重的寻址冲突，大幅降低内存效率（在后文中将详细讲述）。所以人们在SDRAM内部分割成多个L-Bank，较早以前是两个，目前基本都是4个，这也是SDRAM规范中的最高L-Bank数量。到了RDRAM则最多达到了32个，在最新DDR-Ⅱ的标准中，L-Bank的数量也提高到了8个。

这样，在进行寻址时就要先确定是哪个L-Bank，然后再在这个选定的L-Bank中选择相应的行与列进行寻址。可见对内存的访问，一次只能是一个L-Bank工作，而每次与北桥交换的数据就是L-Bank存储阵列中一个“存储单元”的容量。在某些厂商的表述中，将L-Bank中的存储单元称为Word（此处代表位的集合而不是字节的集合）。

从前文可知，SDRAM内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽，那么这个存储单元的容量就是芯片的位宽（也是L-Bank的位宽），但要注意，这种关系也仅对SDRAM有效，原因将在下文中说明。

2、内存芯片的容量

现在我们应该清楚内存芯片的基本组织结构了。那么内存的容量怎么计算呢？显然，内存芯片的容量就是所有L-Bank中的存储单元的容量总合。计算有多少个存储单元和计算表格中的单元数量的方法一样：

存储单元数量=行数×列数（得到一个L-Bank的存储单元数量）×L-Bank的数量

在很多内存产品介绍文档中，都会用M×W的方式来表示芯片的容量（或者说是芯片的规格/组织结构）。M是该芯片中存储单元的总数，单位是兆（英文简写M，精确值是1048576，而不是1000000），W代表每个存储单元的容量，也就是SDRAM芯片的位宽（Width），单位是bit。计算出来的芯片容量也是以bit为单位，但用户可以用除以8的方法换算为字节（Byte）。比如8M×8，这是一个8bit位宽芯片，有8M个存储单元，总容量是64Mbit（8MB）。

不过，M×W是最简单的表示方法。下图则是某公司对自己内存芯片的容量表示方法，这可以说是最正规的形式之一。

业界正规的内存芯片容量表示方法

我们可以计算一下，结果可以发现这三个规格的容量都是128Mbits，只是由于位宽的变化引起了存储单元的数量变化。从这个例子就也可以看出，在相同的总容量下，位宽可以用多种不同的设计。

3、与芯片位宽相关的DIMM设计

为什么在相同的总容量下，位宽会有多种不同的设计呢？这主要是为了满足不同领域的需要。现在大家已经知道P-Bank的位宽是固定的，也就是说当芯片位宽确定下来后，一个P-Bank中芯片的个数也就自然确定了，而前文讲过P-Bank对芯片集合的位宽有要求，对芯片集合的容量则没有任何限制。高位宽的芯片可以让DIMM的设计简单一些（因为所用的芯片少），但在芯片容量相同时，这种DIMM的容量就肯定比不上用低位宽芯片的模组，因为后者在一个P-Bank中可以容纳更多的芯片。比如上文中那个内存芯片容量标识图，容量都是128Mbit，合16MB。如果DIMM用双P-Bank+16bit芯片设计，那么只能容纳8颗芯片，计128MB。但如果用4bit位宽芯片，则可容纳32颗芯片，计512MB。DIMM容量前后相差出4倍，可见芯片位宽对DIMM设计的重要性。因此，8bit位宽芯片是桌面台式机上容量与成本之间平衡性较好的选择，所以在市场上也最为普及，而高于16bit位宽的芯片一般用在需要更大位宽的场合，如显卡等，至于4bit位宽芯片很明显非常适用于大容量内存应用领域，基本不会在标准的Unbuffered 模组设计中出现。

三、 SDRAM的引脚与封装

内存芯片要想工作，必须要与内存控制器有所联系，同时对于一个电气元件，电源供应也是必不可少的，而且数据的传输要有一个时钟作为触发参考。因此，SDRAM在封装时就要留出相应的引脚以供使用。电源与时钟的引脚就不必多说了，现在我们可以想象一下，至少应该有哪些控制引脚呢？

我们从内存寻址的步骤缕下来就基本明白了，从中我们也就能了解内存工作的大体情况。这里需要说明的是，与DIMM一样，SDRAM有着自己的业界设计规范，在一个容量标准下，SDRAM的引脚/信号标准不能只考虑一种位宽的设计，而是要顾及多种位宽，然后尽量给出一个通用的标准，小位宽的芯片也许会空出一些引脚，但高位宽的芯片可能就全部用上了。不过容量不同时，设计标准也会有所不同，一般的容量越小的芯片所需要的引脚也就越小。

1、 首先，我们知道内存控制器要先确定一个P-Bank的芯片集合，然后才对这集合中的芯片进行寻址操作。因此要有一个片选的信号，它一次选择一个P-Bank的芯片集（根据位宽的不同，数量也不同）。被选中的芯片将同时接收或读取数据，所以要有一个片选信号。

2、 接下来是对所有被选中的芯片进行统一的L-Bank的寻址，目前SDRAM中L-Bank的数量最高为4个，所以需要两个L-Bank地址信号（22=4）。

3、 最后就是对被选中的芯片进行统一的行/列（存储单元）寻址。地址线数量要根据芯片的组织结构分别设计了。但在相同容量下，行数不变，只有列数会根据位宽的而变化，位宽越大，列数越少，因为所需的存储单元减少了。

4、 找到了存储单元后，被选中的芯片就要进行统一的数据传输，那么肯定要有与位宽相同数量的数据I/O通道才行，所以肯定要有相应数量的数据线引脚。

现在我们就基本知道了内存芯片的一些信号引脚，下图就是一个简单的SDRAM示意图，大家可以详细看看。

图注：128Mbit芯片不同位宽的引脚图（NC代表未使用，-表示与内侧位宽设计相同）

根据SDRAM的官方规范，台式机上所用的SDRAM在不同容量下的各种位宽封装标准如下：

四、SDRAM的内部基本操作与工作时序

上文我们已经了解了SDRAM所用到的基本信号线路，下面就看看它们在SDRAM芯片内部是怎么“布置”的，并从这里开始深入了解内存的基本操作与过程，在这一节中我们将接触到有天书之称的时序图，但不要害怕，根据文中的指导慢慢理解，您肯定可以看懂它。首先，我们先认识一下SDRAM的内部结构，然后再开始具体的讲述。

128Mbit（32M×4）SDRAM内部结构图（点击放大）

1、芯片初始化

可能很多人都想象不到，在SDRAM芯片内部还有一个逻辑控制单元，并且有一个模式寄存器为其提供控制参数。因此，每次开机时SDRAM都要先对这个控制逻辑核心进行初始化。有关预充电和刷新的含义在下文有讲述，关键的阶段就在于模式寄存器（MR，Mode Register）的设置，简称MRS（MR Set），这一工作由北桥芯片在BIOS的控制下进行，寄存器的信息由地址线来提供。

SDRAM在开机时的初始化过程

SDRAM模式寄存器所控制的操作参数：地址线提供不同的0/1信号来获得不同的参数。在设置到MR之后，就开始了进入正常的工作状态，图中相关参数将结合下文具体讲述

2、行有效

初始化完成后，要想对一个L-Bank中的阵列进行寻址，首先就要确定行（Row），使之处于活动状态（Active），然后再确定列。虽然之前要进行片选和L-Bank的定址，但它们与行有效可以同时进行。

行有效时序图

从图中可以看出，在CS#、L-Bank定址的同时，RAS（Row Address Strobe，行地址选通脉冲）也处于有效状态。此时An地址线则发送具体的行地址。如图中是A0-A11，共有12个地址线，由于是二进制表示法，所以共有4096个行（212=4096），A0-A11的不同数值就确定了具体的行地址。由于行有效的同时也是相应L-Bank有效，所以行有效也可称为L-Bank有效。

3、列读写

行地址确定之后，就要对列地址进行寻址了。但是，地址线仍然是行地址所用的A0-A11（本例）。没错，在SDRAM中，行地址与列地址线是共用的。不过，读/写的命令是怎么发出的呢？其实没有一个信号是发送读或写的明确命令的，而是通过芯片的可写状态的控制来达到读/写的目的。显然WE#信号就是一个关键。WE#无效时，当然就是读取命令。

SDRAM基本操作命令（上表可点击放大）, 通过各种控制/地址信号的组合来完成（H代表高电平，L代表低电平，X表示高低电平均没有影响）。此表中，除了自刷新命令外，所有命令都是默认CKE有效。对于自刷新命令，下文有详解

列寻址信号与读写命令是同时发出的。虽然地址线与行寻址共用，但CAS（Column Address Strobe，列地址选通脉冲）信号则可以区分开行与列寻址的不同，配合A0-A9，A11（本例）来确定具体的列地址。

读写操作示意图，读取命令与列地址一块发出（当WE#为低电平是即为写命令）

然而，在发送列读写命令时必须要与行有效命令有一个间隔，这个间隔被定义为tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟），大家也可以理解为行选通周期，这应该是根据芯片存储阵列电子元件响应时间（从一种状态到另一种状态变化的过程）所制定的延迟。tRCD是SDRAM的一个重要时序参数，可以通过主板BIOS经过北桥芯片进行调整，但不能超过厂商的预定范围。广义的tRCD以时钟周期（tCK，Clock Time）数为单位，比如tRCD=2，就代表延迟周期为两个时钟周期，具体到确切的时间，则要根据时钟频率而定，对于PC100 SDRAM，tRCD=2，代表20ns的延迟，对于PC133则为15ns。

tRCD=3的时序图

4、 数据输出（读）

在选定列地址后，就已经确定了具体的存储单元，剩下的事情就是数据通过数据I/O通道（DQ）输出到内存总线上了。但是在CAS发出之后，仍要经过一定的时间才能有数据输出，从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的这段时间，被定义为CL（CAS Latency，CAS潜伏期）。由于CL只在读取时出现，所以CL又被称为读取潜伏期（RL，Read Latency）。CL的单位与tRCD一样，为时钟周期数，具体耗时由时钟频率决定。

不过，CAS并不是在经过CL周期之后才送达存储单元。实际上CAS与RAS一样是瞬间到达的，但CAS的响应时间要更快一些。为什么呢？设芯片位宽为n个bit，列数为c，那么一个行地址要选通n×c个存储体，而一个列地址只需选通n个存储体。但存储体中晶体管的反应时间仍会造成数据不可能与CAS在同一上升沿触发，肯定要延后至少一个时钟周期。

由于芯片体积的原因，存储单元中的电容容量很小，所以信号要经过放大来保证其有效的识别性，这个放大/驱动工作由S-AMP负责，一个存储体对应一个S-AMP通道。但它要有一个准备时间才能保证信号的发送强度（事前还要进行电压比较以进行逻辑电平的判断），因此从数据I/O总线上有数据输出之前的一个时钟上升沿开始，数据即已传向S-AMP，也就是说此时数据已经被触发，经过一定的驱动时间最终传向数据I/O总线进行输出，这段时间我们称之为tAC（Access Time from CLK，时钟触发后的访问时间）。tAC的单位是ns，对于不同的频率各有不同的明确规定，但必须要小于一个时钟周期，否则会因访问时过长而使效率降低。比如PC133的时钟周期为7.5ns，tAC则是5.4ns。需要强调的是，每个数据在读取时都有tAC，包括在连续读取中，只是在进行第一个数据传输的同时就开始了第二个数据的tAC。

CL=2与tAC示意图

CL的数值不能超出芯片的设计规范，否则会导致内存的不稳定，甚至开不了机（超频的玩家应该有体会），而且它也不能在数据读取前临时更改。CL周期在开机初始化过程中的MRS阶段进行设置，在BIOS中一般都允许用户对其调整，然后BIOS控制北桥芯片在开机时通过A4-A6地址线对MR中CL寄存器的信息进行更改。

不过，从存储体的结构图上可以看出，原本逻辑状态为1的电容在读取操作后，会因放电而变为逻辑0。所以，以前的DRAM为了在关闭当前行时保证数据的可靠性，要对存储体中原有的信息进行重写，这个任务由数据所经过的刷新放大器来完成，它根据逻辑电平状态，将数据进行重写（逻辑0时就不重写），由于这个操作与数据的输出是同步进行互不冲突，所以不会产生新的重写延迟。后来通过技术的改良，刷新放大器被取消，其功能由S-AMP取代，因为在读取时它会保持数据的逻辑状态，起到了一个Cache的作用，再次读取时由它直接发送即可，不用再进行新的寻址输出，此时数据重写操作则可在预充电阶段完成。

5、数据输入（写）

数据写入的操作也是在tRCD之后进行，但此时没有了CL（记住，CL只出现在读取操作中），行寻址与列寻址的时序图和上文一样，只是在列寻址时，WE#为有效状态。

数据写入的时序图

从图中可见，由于数据信号由控制端发出，输入时芯片无需做任何调校，只需直接传到数据输入寄存器中，然后再由写入驱动器进行对存储电容的充电操作，因此数据可以与CAS同时发送，也就是说写入延迟为0。不过，数据并不是即时地写入存储电容，因为选通三极管（就如读取时一样）与电容的充电必须要有一段时间，所以数据的真正写入需要一定的周期。为了保证数据的可靠写入，都会留出足够的写入/校正时间（tWR，Write Recovery Time），这个操作也被称作写回（Write Back）。tWR至少占用一个时钟周期或再多一点（时钟频率越高，tWR占用周期越多），有关它的影响将在下文进一步讲述。

6、突发长度

突发（Burst）是指在同一行中相邻的存储单元连续进行数据传输的方式，连续传输所涉及到存储单元（列）的数量就是突发长度（Burst Lengths，简称BL）。

在目前，由于内存控制器一次读/写P-Bank位宽的数据，也就是8个字节，但是在现实中小于8个字节的数据很少见，所以一般都要经过多个周期进行数据的传输。上文讲到的读/写操作，都是一次对一个存储单元进行寻址，如果要连续读/写就还要对当前存储单元的下一个单元进行寻址，也就是要不断的发送列地址与读/写命令（行地址不变，所以不用再对行寻址）。虽然由于读/写延迟相同可以让数据的传输在I/O端是连续的，但它占用了大量的内存控制，在数据进行连续传输时无法输入新的命令，效率很低（早期的FPE/EDO内存就是以这种方式进行连续的数据传输）。为此，人们开发了突发传输技术，只要指定起始列地址与突发长度，内存就会依次地自动对后面相应数量的存储单元进行读/写操作而不再需要控制器连续地提供列地址。这样，除了第一笔数据的传输需要若干个周期（主要是之前的延迟，一般的是tRCD+CL）外，其后每个数据只需一个周期的即可获得。在很多北桥芯片的介绍中都有类似于X-1-1-1的字样，就是指这个意思，其中的X代表就代表第一笔数据所用的周期数。

非突发连续读取模式：不用突发传输而是依次单独寻址，此时可等效于BL=1。虽然可以让数据是连续的传输，但每次都要发送列地址与命令信息，控制占用极大

突发连续读取模式：只要指定起始列地址与突发长度，寻址与数据的读取自动进行，而只要控制好两段突发读取命令的间隔周期（与BL相同）即可做到连续的突发传输

至于BL的数值，也是不能随便设或在数据进行传输前临时决定。在上文讲到的初始化过程中的MRS阶段就要对BL进行设置。目前可用的选项是1、2、4、8、全页（Full Page），常见的设定是4和8。顺便说一下，BL能否更改与北桥芯片的设计有很大关系，不是每个北桥都能像调整CL那样来调整BL。某些芯片组的BL是定死而不可改的，比如Intel芯片组的BL基本都为4，所以在相应的主板BIOS中也就不会有BL的设置选项。而由于目前的SDRAM系统的数据传输是以64bit/周期进行，所以在一些BIOS也把BL用QWord（4字，即64bit）来表示。如4QWord就是BL=4。

另外，在MRS阶段除了要设定BL数值之外，还要具体确定读/写操作的模式以及突发传输的模式。突发读/突发写，表示读与写操作都是突发传输的，每次读/写操作持续BL所设定的长度，这也是常规的设定。突发读/单一写，表示读操作是突发传输，写操作则只是一个个单独进行。突发传输模式代表着突发周期内所涉及到的存储单元的传输顺序。顺序传输是指从起始单元开始顺序读取。如BL=4，起始单元编号是n，顺序就是n、n+1、n+2、n+3。交错传输就是打乱正常的顺序进行数据传输（比如第一个进行传输的单元是n，而第二个进行传输的单元是n+2而不是n+1），至于交错的规则在SDRAM规范中有详细的定义表，但在这此出于必要性与篇幅的考虑就不列出了。

7、预充电

由于SDRAM的寻址具体独占性，所以在进行完读写操作后，如果要对同一L-Bank的另一行进行寻址，就要将原来有效（工作）的行关闭，重新发送行/列地址。L-Bank关闭现有工作行，准备打开新行的操作就是预充电（Precharge）。预充电可以通过命令控制，也可以通过设定让芯片在每次读写操作之后自动进行预充电。实际上，预充电是一种对工作行中所有存储体进行数据重写，并对行地址进行复位，同时释放S-AMP（重新加入比较电压，一般是电容电压的1/2，以帮助判断读取数据的逻辑电平，因为S-AMP是通过一个参考电压与存储体位线电压的比较来判断逻辑值的），以准备新行的工作。具体而言，就是将S-AMP中的数据回写，即使是没有工作过的存储体也会因行选通而使存储电容受到干扰，所以也需要S-AMP进行读后重写。此时，电容的电量（或者说其产生的电压）将是判断逻辑状态的依据（读取时也需要），为此要设定一个临界值，一般为电容电量的1/2，超过它的为逻辑1，进行重写，否则为逻辑0，不进行重写（等于放电）。为此，现在基本都将电容的另一端接入一个指定的电压（即1/2电容电压），而不是接地，以帮助重写时的比较与判断。

现在我们再回过头看看读写操作时的命令时序图，从中可以发现地址线A10控制着是否进行在读写之后当前L-Bank自动进行预充电，这就是上文所说的“设定”。而在单独的预充电命令中，A10则控制着是对指定的L-Bank还是所有的L-Bank（当有多个L-Bank处于有效/活动状态时）进行预充电，前者需要提供L-Bank的地址，后者只需将A10信号置于高电平。

在发出预充电命令之后，要经过一段时间才能允许发送RAS行有效命令打开新的工作行，这个间隔被称为tRP（Precharge command Period，预充电有效周期）。和tRCD、CL一样，tRP的单位也是时钟周期数，具体值视时钟频率而定。

（上图可点击放大）

读取时预充电时序图：图中设定：CL=2、BL=4、tRP=2。自动预充电时的开始时间与此图一样，只是没有了单独的预充电命令，并在发出读取命令时，A10地址线要设为高电平（允许自动预充电）。可见控制好预充电启动时间很重要，它可以在读取操作结束后立刻进入新行的寻址，保证运行效率。

误区：读写情况下都要考虑写回延迟

有些文章强调由于写回操作而使读/写操作后都有一定的延迟，但从本文的介绍中写可以看出，即使是读后立即重写的设计，由于是与数据输出同步进行，并不存在延迟。只有在写操作后进行其他的操作时，才会有这方面的影响。写操作虽然是0延迟进行，但每笔数据的真正写入则需要一个足够的周期来保证，这段时间就是写回周期（tWR）。所以预充电不能与写操作同时进行，必须要在tWR之后才能发出预充电命令，以确保数据的可靠写入，否则重写的数据可能是错的，这就造成了写回延迟。

（上图可点击放大）

数据写入时预充电操作时序图：注意其中的tWR参数，由于它的存在，使预充电操作延后，从而造成写回延迟

8、刷新

之所以称为DRAM，就是因为它要不断进行刷新（Refresh）才能保留住数据，因此它是DRAM最重要的操作。

刷新操作与预充电中重写的操作一样，都是用S-AMP先读再写。但为什么有预充电操作还要进行刷新呢？因为预充电是对一个或所有L-Bank中的工作行操作，并且是不定期的，而刷新则是有固定的周期，依次对所有行进行操作，以保留那些久久没经历重写的存储体中的数据。但与所有L-Bank预充电不同的是，这里的行是指所有L-Bank中地址相同的行，而预充电中各L-Bank中的工作行地址并不是一定是相同的。

那么要隔多长时间重复一次刷新呢？目前公认的标准是，存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms（毫秒，1/1000秒），也就是说每一行刷新的循环周期是64ms。这样刷新速度就是：行数量/64ms。我们在看内存规格时，经常会看到4096 Refresh Cycles/64ms或8192 Refresh Cycles/64ms的标识，这里的4096与8192就代表这个芯片中每个L-Bank的行数。刷新命令一次对一行有效，发送间隔也是随总行数而变化，4096行时为15.625μs（微秒，1/1000毫秒），8192行时就为7.8125μs。

刷新操作分为两种：自动刷新（Auto Refresh，简称AR）与自刷新（Self Refresh，简称SR）。不论是何种刷新方式，都不需要外部提供行地址信息，因为这是一个内部的自动操作。对于AR， SDRAM内部有一个行地址生成器（也称刷新计数器）用来自动的依次生成行地址。由于刷新是针对一行中的所有存储体进行，所以无需列寻址，或者说CAS在RAS之前有效。所以，AR又称CBR（CAS Before RAS，列提前于行定位）式刷新。由于刷新涉及到所有L-Bank，因此在刷新过程中，所有L-Bank都停止工作，而每次刷新所占用的时间为9个时钟周期（PC133标准），之后就可进入正常的工作状态，也就是说在这9 个时钟